类型：双肖特基二极管阵列
　　配置：共阴极
　　封装：SMA（DO-214AC）
　　安装类型：表面贴装
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：40V
　　平均整流电流（IO）：3.0A
　　峰值浪涌电流（IFSM）：50A
　　正向电压（VF）：典型值0.55V，最大值0.67V（在3.0A条件下）
　　反向漏电流（IR）：最大50μA（在25°C下）
　　工作结温范围：-55°C 至 +125°C
　　储存温度范围：-55°C 至 +150°C
　　反向恢复时间（trr）：≤ 5ns
　　热阻（RθJA）：约60°C/W
　　引脚数：2
　　极性：中心阴极

30C01M-TL-E的核心特性之一是其采用肖特基势垒技术，这使得它相较于传统的PN结二极管具有更低的正向导通压降和更快的开关速度。由于肖特基二极管的工作原理基于金属-半导体接触而非P-N结，因此不存在少数载流子存储效应，从而实现了几乎瞬时的反向恢复响应，典型反向恢复时间trr小于5ns。这一特性对于高频开关电源系统至关重要，能够显著降低开关损耗并提升整体能效。此外，低正向电压（VF最大仅为0.67V，典型值0.55V）意味着在大电流导通状态下产生的热量更少，有助于提高系统的热稳定性，并减少对散热结构的需求。
　　该器件额定平均整流电流为3.0A，峰值浪涌电流可达50A，表明其具备较强的瞬态过载能力，适合应对启动冲击或突发负载变化的应用环境。其40V的最大重复反向电压适用于低压直流系统，如12V、24V或36V供电平台，广泛用于DC-DC转换器中的续流、极性保护和防倒灌电路。
　　SMA封装提供了良好的机械稳定性和焊接可靠性，支持自动化贴片生产流程，有利于大批量制造。器件符合AEC-Q101汽车级可靠性标准，增强了其在严苛环境下的适用性。此外，产品无铅、无卤素，符合RoHS和WEEE环保规范，满足全球市场准入要求。热阻RθJA约为60°C/W，说明在标准PCB布局下可有效将热量传导至外部环境，延长使用寿命。总体而言，30C01M-TL-E凭借其高性能、高可靠性和紧凑尺寸，成为现代高效电源系统中不可或缺的关键元件。

30C01M-TL-E被广泛应用于多种需要高效整流与快速开关响应的电子系统中。在便携式消费电子产品中，例如智能手机充电器、笔记本电脑适配器和平板电源模块，该器件常用于同步整流或作为输出端的防反接二极管，利用其低正向压降优势减少能量损耗，提升电池续航能力。在通信设备中，如路由器、交换机和基站电源单元，30C01M-TL-E可用于DC-DC降压或升压转换器中的续流路径，确保高频切换过程中的稳定运行。
　　工业控制领域也是其重要应用场景之一，包括PLC模块、传感器供电电路和电机驱动系统。在此类环境中，30C01M-TL-E可承担电源极性保护功能，防止因接线错误导致设备损坏，同时在反激式转换器中发挥关键作用。此外，该器件还适用于LED照明驱动电源，尤其是在恒流源设计中用作续流二极管，帮助维持电流连续性并抑制电压尖峰。
　　在汽车电子系统中，尽管需确认具体批次是否通过完整AEC-Q101认证，但类似规格的器件常用于车载信息娱乐系统、车身控制模块和辅助电源单元。其宽工作温度范围（-55°C至+125°C）使其能够在极端气候条件下保持稳定性能。太阳能微逆变器和小型UPS不间断电源系统也常采用此类双肖特基二极管阵列来实现高效的能量转换与管理。总而言之，30C01M-TL-E凭借其优异的电学性能和可靠的封装设计，已成为各类低电压、高效率电源架构中的理想选择。

VS-30C01M01-E
　　MBR3040T
　　SS34