MNG18-8FLK 时间：2025/8/30 6:15:50 阅读：22

MNG18-8FLK是一种高压、高频绝缘栅双极型晶体管（IGBT），专为需要高可靠性和高性能的应用而设计。该器件结合了MOSFET的高输入阻抗和BJT的低导通压降的优点，使其在高功率应用中表现出色。MNG18-8FLK通常用于电力电子变换器、电机驱动、可再生能源系统以及工业自动化设备中。

参数

类型：IGBT
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：1800V
　　额定集电极电流（Ic）：8A
　　工作温度范围：-50°C至+150°C
　　封装类型：TO-247
　　栅极阈值电压：约5V
　　导通压降：约2.5V
　　短路耐受能力：有
　　隔离电压：2500Vrms

特性

MNG18-8FLK具有高电压阻断能力和出色的短路耐受性能，使其在高压和高功率密度应用中表现出色。其TO-247封装形式提供了良好的散热性能和机械稳定性，适用于需要高可靠性的工业环境。该器件的栅极驱动要求相对较低，便于与标准驱动电路配合使用。此外，MNG18-8FLK具有快速开关特性，能够有效减少开关损耗，提高整体系统效率。其高隔离电压特性确保了在高压环境中的安全运行，适用于各种高要求的电力电子系统。
　　MNG18-8FLK的热性能优越，能够在高温环境下稳定工作。其内部结构优化了载流子分布，减少了导通损耗，并提高了器件的耐用性。在短路条件下，MNG18-8FLK能够承受较高的电流应力，从而提高了系统的稳定性和安全性。该器件的封装设计确保了良好的电气隔离，适用于高电压隔离要求的应用场合。