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H5DU2562GTR-K3CL 发布时间 时间:2025/9/1 11:01:39 查看 阅读:7

H5DU2562GTR-K3CL 是由SK Hynix(海力士)生产的一款DRAM(动态随机存取存储器)芯片,属于高密度、高性能的存储器件。该型号为DDR3 SDRAM类型,具备256MB的存储容量,适合用于需要高速数据访问的嵌入式系统、工业控制设备、通信设备和消费电子产品。这款芯片采用了先进的制造工艺,具有低功耗、高稳定性和良好的热性能,适用于各种复杂的工作环境。

参数

容量:256MB
  电压:1.35V / 1.5V
  频率:1600MHz
  封装类型:FBGA
  数据总线宽度:16位
  工作温度范围:-40°C至+85°C
  封装尺寸:93球FBGA
  工艺制程:50nm
  延迟时间:CL=11,10,9等可配置
  突发长度:8
  预取:8n
  刷新周期:64ms

特性

H5DU2562GTR-K3CL DDR3 SDRAM芯片具备多项先进特性,使其在多种应用场景中表现出色。
  首先,该芯片支持低电压操作,正常工作电压为1.35V或1.5V,显著降低了功耗,使其适用于对能耗敏感的应用场景,如便携式设备和嵌入式系统。这种低功耗特性不仅有助于延长电池寿命,还能减少散热需求,提高系统的整体能效。
  其次,该芯片支持高达1600MHz的工作频率,能够提供较高的数据传输速率,满足高性能计算和高速数据处理的需求。同时,其可配置的CAS延迟(CL=11,10,9)允许用户根据具体应用需求进行优化,以在性能和稳定性之间取得平衡。
  此外,H5DU2562GTR-K3CL采用了93球FBGA(Fine-Pitch Ball Grid Array)封装形式,这种封装方式具有更小的体积和更好的散热性能,适用于高密度PCB设计,有助于提升系统集成度。
  该芯片还支持多种工作模式,包括自动刷新、自刷新和深度掉电模式,进一步增强了其在不同工作条件下的适应性。自动刷新功能确保数据在断电前不会丢失,而深度掉电模式则可以在系统处于休眠状态时显著降低功耗。
  最后,该芯片的工作温度范围为-40°C至+85°C,能够适应严苛的工业环境,广泛适用于工业控制、汽车电子、网络设备等领域。

应用

H5DU2562GTR-K3CL广泛应用于多种高性能和高稳定性的电子系统中。首先,在嵌入式系统中,例如工业控制器、自动化设备和智能仪表,该芯片能够提供可靠的数据存储和高速访问能力,满足实时控制和数据处理需求。其次,在消费类电子产品中,如智能电视、机顶盒和多媒体播放器,该芯片能够支持流畅的视频播放和多任务处理,提升用户体验。此外,在通信设备中,如路由器、交换机和基站模块,该芯片的高速数据传输能力和低延迟特性能够确保网络设备的稳定运行。同时,由于其宽温工作范围,该芯片也适用于汽车电子系统,如车载导航、车载娱乐系统和高级驾驶辅助系统(ADAS)。最后,在测试测量仪器、医疗设备和安防监控系统中,该芯片也能够提供可靠的存储解决方案。

替代型号

H5DU2562GTR-K3C, H5DU5122GTR-K3C, H5DU5122GTR-K6C

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