时间：2025/8/6 8:55:21
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IXGP48N60C3是一款高性能的N沟道功率MOSFET，由IXYS公司制造。该器件适用于高频率开关应用，例如DC-DC转换器、电机控制和电源管理等领域。IXGP48N60C3采用TO-247封装，具有优良的热性能和电流承载能力，能够提供稳定的高功率密度解决方案。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：600V
最大漏极电流(Id)：48A（在25°C）
导通电阻(Rds(on))：0.145Ω
栅极电压(Vgs)：±20V
最大功耗(Pd)：300W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-247
IXGP48N60C3具有多种优良特性，使其适用于高频率和高功率的应用。首先，它的低导通电阻（Rds(on)）为0.145Ω，可以有效降低导通损耗，提高系统效率。其次，该MOSFET支持高达48A的漏极电流，非常适合需要大电流能力的功率转换应用。此外，其TO-247封装提供了良好的散热性能，能够在高功率条件下保持较低的温度上升，从而提高器件的可靠性和寿命。
该器件的栅极驱动设计兼容标准逻辑电平，使得IXGP48N60C3易于驱动，并支持快速开关操作，从而减少开关损耗。其600V的漏源电压额定值使其适用于高压应用，例如太阳能逆变器、电机控制和工业电源等。此外，IXGP48N60C3具有优良的雪崩能量耐受能力，能够在瞬态过电压条件下保持稳定工作，增强了系统的鲁棒性。
IXGP48N60C3广泛应用于各种高功率电子系统中，例如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器、UPS系统、工业自动化设备以及太阳能逆变器等。由于其高电流能力和优异的热性能，该器件特别适合需要高效能和高可靠性的应用环境。此外，它也常用于高频电源转换系统，以减少开关损耗并提高整体系统效率。
IXFH48N60Q2, IRG4PC50UD, FCP28N60
