类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(VDS)：650V
　　漏极电流(ID)：75A（连续）
　　导通电阻(RDS(on))：典型值为0.023Ω
　　栅极电荷(Qg)：170nC（典型值）
　　封装类型：TO-247
　　工作温度范围：-55°C至150°C

DGW75N65CTL1E具有优异的导通和开关性能，使其在高频率和高功率应用中表现出色。其低导通电阻（RDS(on)）有助于减少导通损耗，提高系统效率。该器件采用沟槽型MOSFET技术，实现了更高的电流密度和更小的芯片尺寸，从而提高了功率密度。
　　此外，DGW75N65CTL1E具备出色的热稳定性和可靠性，适用于高温工作环境。其高耐压能力（650V）使其在高输入电压的电源系统中具有广泛的应用前景。该MOSFET还具有快速恢复二极管特性，有助于减少反向恢复损耗，提高整体系统效率。
　　该器件采用TO-247封装，具有良好的散热性能，适用于高功率耗散应用。其栅极驱动电压范围宽，通常为10V至20V，确保在不同驱动电路中都能稳定工作。

DGW75N65CTL1E广泛应用于各类功率电子设备中，特别是在需要高效率和高功率密度的设计中。常见应用包括AC-DC开关电源、DC-DC转换器、电池充电器、太阳能逆变器、电机控制电路以及工业自动化系统中的功率开关模块。
　　在服务器电源和电信设备中，该MOSFET可用于高效能电源转换模块，以提供稳定的直流输出。在电动汽车和新能源系统中，DGW75N65CTL1E可用于电池管理系统(BMS)和能量转换装置，确保高可靠性和高效率。
　　由于其优异的开关特性和热稳定性，该器件还适用于高频功率转换器，如LLC谐振转换器和ZVS（零电压开关）拓扑结构，以实现更高的转换效率和更小的磁性元件体积。

STF75N65M2, FQA75N65, IPP75N65C6