时间：2025/6/14 9:02:13
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RB751S40T1G是一款高性能的MOSFET功率晶体管，主要用于开关电源、电机驱动和逆变器等应用领域。该器件采用了先进的半导体制造工艺，具备低导通电阻、高电流承载能力和快速开关速度等特点，适用于多种高频和高效能电路设计。
该型号属于Rohm公司推出的RB系列MOSFET产品，专为中高压应用场景设计，能够有效降低功耗并提高系统效率。
类型：N-Channel MOSFET
漏源极电压(Vds)：750V
连续漏极电流(Id)：40A
栅极电荷(Qg)：85nC
导通电阻(Rds(on))：60mΩ
工作结温范围：-55℃ to +175℃
封装形式：TO-247
RB751S40T1G具有以下主要特性：
1. 高耐压能力，最大漏源极电压高达750V，适用于高压环境下的电力转换和控制。
2. 极低的导通电阻，在典型条件下仅为60mΩ，有助于减少传导损耗，提升系统效率。
3. 快速开关性能，其栅极电荷较低（85nC），可实现高频操作，适合于开关频率较高的应用。
4. 大电流处理能力，支持最高40A的连续漏极电流输出。
5. 宽广的工作温度范围（-55℃到+175℃），保证了在极端条件下的稳定性和可靠性。
6. 封装采用标准TO-247，散热性能优良，便于安装与维护。
RB751S40T1G广泛应用于各种需要高效能功率管理的场合，具体包括：
1. 开关模式电源(SMPS)，例如AC-DC适配器和工业电源。
2. 电机驱动系统，如家用电器中的压缩机驱动和电动工具。
3. 光伏逆变器和不间断电源(UPS)。
4. 电动汽车(EV)充电站及车载电子设备。
5. 各类工业自动化控制系统中的功率模块。
凭借其出色的电气性能和热性能，该器件非常适合要求苛刻的电力电子应用。
RB751S50T1G, IRFP260N, STP75N75K5
