HM63021P-28 时间：2025/9/7 23:58:02 阅读：23

HM63021P-28是一款由Hynix（现为SK Hynix）生产的静态随机存取存储器（SRAM）芯片。该芯片属于高速存储器类别，广泛用于需要快速数据访问和高稳定性的电子系统中。HM63021P-28的存储容量为256K位（32K x 8），采用CMOS技术制造，具有低功耗和高速度的特性。

参数

类型：SRAM
　　容量：256K 位（32K x 8）
　　电源电压：5V
　　访问时间：28 ns
　　封装类型：48引脚 TSOP
　　工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
　　数据保持电压：3V
　　功耗：典型值 250 mA
　　接口类型：并行接口
　　时序控制：异步控制

特性

HM63021P-28 SRAM芯片采用了先进的CMOS工艺，使其在保持高性能的同时实现了较低的功耗。其28 ns的访问时间使其适用于需要快速数据存取的系统，例如通信设备、工业控制、嵌入式系统和消费电子产品。此外，该芯片支持异步控制模式，能够灵活地与各种主控芯片进行接口。
　　该芯片的存储单元使用六晶体管结构，提供了稳定可靠的数据存储能力，避免了动态RAM所需的刷新操作，从而简化了系统设计并提高了数据的可访问性。其48引脚TSOP封装形式具有较小的体积，适合高密度PCB布局。
　　在低功耗方面，HM63021P-28具备两种省电模式：待机模式和数据保持模式。在待机模式下，芯片的功耗显著降低，但仍能保持数据不丢失；而在数据保持模式下，仅需提供最低的3V电压即可维持数据完整性，适用于电池供电设备。

应用

HM63021P-28 SRAM芯片常用于需要高速数据存储和低功耗特性的应用场合。例如，在工业自动化控制系统中，该芯片可以作为高速缓存存储器，用于临时存储程序代码或实时数据。在通信设备中，HM63021P-28可作为缓冲存储器，用于处理高速传输的数据流。此外，该芯片也广泛应用于医疗设备、测试仪器、便携式电子产品以及嵌入式系统中，特别是在需要快速响应和可靠存储的场景下表现出色。