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PESDALC236T5VU 发布时间 时间:2025/7/2 11:57:24 查看 阅读:9

PESDALC236T5VU 是一款高性能的功率MOSFET芯片,广泛应用于开关电源、电机驱动和负载开关等领域。该器件采用先进的制造工艺,具备低导通电阻和快速开关速度的特点,能够显著提高系统效率并减少发热。其封装形式为 TO-220,具有良好的散热性能,适合高功率应用环境。
  这款 MOSFET 属于 N 沟道增强型场效应晶体管,通过栅极电压控制漏极和源极之间的电流流动。由于其优异的电气特性,PESDALC236T5VU 在各种工业和消费电子领域中都有广泛应用。

参数

最大漏源电压:50V
  连续漏极电流:40A
  导通电阻:1.8mΩ
  栅极电荷:95nC
  最大功耗:270W
  工作温度范围:-55℃ 至 +150℃

特性

1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于降低传导损耗,提高系统效率。
  2. 快速开关速度,支持高频操作,适用于开关电源和DC-DC转换器。
  3. 高电流承载能力,满足大功率应用场景的需求。
  4. 内置过温保护功能,提升产品可靠性。
  5. 良好的热性能设计,确保在高温环境下稳定运行。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且可靠。

应用

1. 开关电源(SMPS)
  2. DC-DC 转换器
  3. 电机驱动
  4. 工业自动化设备
  5. 电动汽车及混合动力汽车中的电力管理系统
  6. 太阳能逆变器
  7. 各种负载开关应用

替代型号

IRFZ44N
  STP40NF06L
  FDP5800

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