时间：2025/7/2 11:57:24
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PESDALC236T5VU 是一款高性能的功率MOSFET芯片，广泛应用于开关电源、电机驱动和负载开关等领域。该器件采用先进的制造工艺，具备低导通电阻和快速开关速度的特点，能够显著提高系统效率并减少发热。其封装形式为 TO-220，具有良好的散热性能，适合高功率应用环境。
这款 MOSFET 属于 N 沟道增强型场效应晶体管，通过栅极电压控制漏极和源极之间的电流流动。由于其优异的电气特性，PESDALC236T5VU 在各种工业和消费电子领域中都有广泛应用。
最大漏源电压：50V
连续漏极电流：40A
导通电阻：1.8mΩ
栅极电荷：95nC
最大功耗：270W
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于降低传导损耗，提高系统效率。
2. 快速开关速度，支持高频操作，适用于开关电源和DC-DC转换器。
3. 高电流承载能力，满足大功率应用场景的需求。
4. 内置过温保护功能，提升产品可靠性。
5. 良好的热性能设计，确保在高温环境下稳定运行。
6. 符合 RoHS 标准，环保且可靠。
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC 转换器
3. 电机驱动
4. 工业自动化设备
5. 电动汽车及混合动力汽车中的电力管理系统
6. 太阳能逆变器
7. 各种负载开关应用
IRFZ44N
STP40NF06L
FDP5800
