时间：2025/8/6 11:26:46
阅读：22
IXFN100N50Q3是一款由Littelfuse（原IXYS公司）制造的N沟道增强型功率MOSFET，适用于高功率开关应用。该器件采用第三代技术制造，具备低导通电阻、高耐压能力和优异的热性能。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：500V
漏极电流(Id)：100A
导通电阻(Rds(on))：0.035Ω（最大）
栅极电荷(Qg)：170nC
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：TO-247
IXFN100N50Q3具有较低的导通电阻，这有助于降低导通损耗，提高效率。其高耐压能力（500V）使其适用于多种高电压应用，例如工业电源、太阳能逆变器和电机控制。此外，该MOSFET具备良好的热管理和高温稳定性，可在严苛的环境下稳定运行。
该器件还采用了先进的沟槽栅极技术，提高了开关性能并降低了开关损耗。其栅极电荷值较低，有助于实现快速开关操作，从而减少能量损耗和电磁干扰（EMI）。此外，IXFN100N50Q3具备优异的雪崩能量承受能力，增强了器件在高压瞬态条件下的可靠性。
IXFN100N50Q3广泛应用于各种高功率电子系统中，如不间断电源（UPS）、光伏逆变器、工业电机驱动、电源管理系统以及各种开关电源拓扑（如半桥和全桥拓扑）。它也常用于电动汽车充电设备、电能质量调节装置以及各种需要高效率和高可靠性的电力电子系统。
IXFH100N50Q3, IRFP4668, STP100N55F5AG, FDPF100N50
