STP4435 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的功率 MOSFET,采用 TO-220 封装。该器件适用于高功率开关应用,具有低导通电阻和高耐压能力,广泛用于电机驱动、电源转换、逆变器等领域。
这款功率 MOSFET 属于 N 沟道增强型器件,通过栅极电压控制漏极和源极之间的导通状态。其设计优化了开关性能和热效率,使其在高电流和高电压条件下表现优异。
最大漏源电压:450V
连续漏极电流:8.9A
导通电阻:0.16Ω
栅极电荷:47nC
总功耗:150W
工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
STP4435 的主要特性包括:
1. 高击穿电压:能够承受高达 450V 的漏源电压,适用于高压应用场景。
2. 低导通电阻:0.16Ω 的 RDS(on) 确保较低的传导损耗,提高系统效率。
3. 快速开关能力:较低的栅极电荷使得开关速度更快,适合高频应用。
4. 热稳定性:具备良好的散热性能,在高温环境下仍能保持稳定运行。
5. 高可靠性:经过严格的制造工艺和质量测试,确保长期使用的可靠性。
STP4435 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源 (SMPS):
- 在 AC/DC 和 DC/DC 转换器中作为主开关管使用。
2. 电机驱动:
- 用于工业电机、家用电器电机的驱动电路。
3. 逆变器:
- 用于太阳能逆变器和其他类型的电力逆变设备。
4. 电池充电器:
- 用于电动车、UPS 系统等大功率电池充电装置。
5. 电动工具:
- 提供高效功率控制以支持电动工具的动力输出。
IRFP460, STP4NB50, FQP18N50