HY5MS5B2ALFP-6E 时间：2025/9/2 8:09:27 阅读：25

HY5MS5B2ALFP-6E 是一款由Hynix（现为SK Hynix）生产的移动式动态随机存取存储器（Mobile DRAM）芯片，主要用于移动设备如智能手机和平板电脑等需要低功耗和高性能内存的应用场景。该芯片属于LPDDR2（Low Power Double Data Rate 2）标准，具备低电压运行和高数据传输速率的特性。HY5MS5B2ALFP-6E 封装形式为FBGA（Fine Pitch Ball Grid Array），适合在空间受限的便携式电子产品中使用。

参数

容量：2Gb
　　类型：LPDDR2 SDRAM
　　电压：1.2V - 1.8V 多电压支持
　　时钟频率：最高可达 533MHz
　　数据速率：1066Mbps（双倍数据速率）
　　封装：144-ball FBGA
　　工作温度：-40°C 至 +85°C
　　数据总线宽度：16位
　　刷新周期：64ms
　　封装尺寸：8mm x 12mm

特性

HY5MS5B2ALFP-6E 是一款高性能、低功耗的移动DRAM芯片，其基于LPDDR2标准设计，适用于对功耗敏感的便携设备。该芯片支持多种电压模式，包括核心电压1.2V和I/O电压1.8V，这种多电压支持能够根据系统需求动态调整，从而有效降低能耗。此外，HY5MS5B2ALFP-6E 的双倍数据速率（DDR）技术使其能够在时钟信号的上升沿和下降沿同时传输数据，从而实现更高的数据吞吐量。
　　该芯片采用了先进的CMOS工艺制造，具有良好的稳定性和可靠性，能够在-40°C至+85°C的工业级温度范围内正常工作，适用于各种严苛环境。FBGA封装形式不仅提供了良好的散热性能，还减少了封装体积，适合高密度PCB布局。
　　为了满足移动设备对内存性能的要求，HY5MS5B2ALFP-6E 还集成了多种低功耗管理技术，包括深度掉电模式（Deep Power-Down Mode）和自刷新模式（Self-Refresh Mode），可以在设备休眠或待机状态下大幅降低功耗，从而延长电池续航时间。
　　在数据传输方面，HY5MS5B2ALFP-6E 支持突发传输模式，允许连续访问多个内存地址，提升数据访问效率。同时，该芯片具备自动预充电和自动刷新功能，简化了系统设计并提升了整体稳定性。