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HY62UF16101LLM-10IDR 发布时间 时间:2025/7/22 1:31:46 查看 阅读:5

HY62UF16101LLM-10IDR 是一款由 Hynix(现为 SK Hynix)生产的高速异步静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该芯片采用高性能的CMOS技术制造,具有低功耗、高速访问时间以及高可靠性的特点,广泛应用于需要快速数据存取的嵌入式系统、网络设备、工业控制设备以及其他高端电子设备中。该SRAM芯片的容量为16Mbit(1Mb x16),采用LLP(Leadless Leadframe Package)封装形式,适合空间受限的应用场景。

参数

容量:16Mbit
  组织结构:1Mb x16
  电源电压:2.3V - 3.6V
  访问时间:10ns
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装类型:LLP-54
  引脚数:54
  数据总线宽度:16位
  封装尺寸:较小,适合高密度PCB布局
  封装材料:无铅环保材料

特性

HY62UF16101LLM-10IDR 是一款专为高性能和低功耗设计的SRAM芯片,采用先进的CMOS技术制造,确保了在高速运行时依然保持较低的功耗水平。该芯片的访问时间为10ns,适用于需要快速响应和数据处理能力的应用场景。其工作电压范围为2.3V至3.6V,使得它能够适应多种电源管理系统,增强了设计的灵活性。
  此外,该芯片的工作温度范围为-40°C至+85°C,适用于工业级环境,能够在较为恶劣的条件下稳定运行。其采用的LLP-54封装形式不仅节省空间,还提供了良好的热性能和电气性能,非常适合高密度PCB布局的设计需求。芯片内部采用了先进的电路设计,有效降低了静态电流,从而进一步减少了功耗和发热。
  HY62UF16101LLM-10IDR 还具备良好的抗干扰能力,确保了数据在复杂电磁环境中的稳定性和可靠性。其无铅环保封装符合RoHS标准,适用于环保要求较高的电子产品设计。该芯片广泛应用于通信设备、工业自动化、网络路由器、存储设备以及其他高端嵌入式系统中。

应用

HY62UF16101LLM-10IDR SRAM芯片因其高速和低功耗特性,被广泛应用于需要快速数据存取和高可靠性的电子系统中。典型的应用领域包括网络设备(如路由器和交换机)、工业控制系统(如PLC和自动化设备)、通信模块、嵌入式系统、医疗设备、测试仪器以及各种高端消费类电子产品。由于其宽温度范围和高稳定性,该芯片也非常适合在户外或工业环境中运行的设备使用。

替代型号

IS61WV102416BLL-10TFI、CY7C1041CV33-10ZSXI、IDT71V124SA10PFGI、ISSI IS64WV102416EBLL-10TLI、Alliance AS7C31025A-10TC

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