UVR2E4R7MPD是一款由Vishay Siliconix生产的表面贴装瞬态电压抑制二极管(TVS Diode),主要用于电路中的静电放电(ESD)保护和瞬态电压抑制。该器件采用先进的半导体工艺制造,具有快速响应时间、低钳位电压和高可靠性等优点,适用于对敏感电子元件进行过压保护的场合。UVR2E4R7MPD属于双向TVS二极管,能够在正负两个方向上对瞬态电压进行有效抑制,因此特别适合用于交流信号线路或可能承受反向电压冲击的应用场景。该器件封装在小型化的表面贴装DFN-2(SMAFlat)封装中,占用PCB面积小,便于在高密度印刷电路板上布局,广泛应用于便携式电子产品、通信设备、工业控制系统以及汽车电子等领域。其设计符合RoHS环保要求,并具备良好的热稳定性和长期工作可靠性,能够在严苛的工作环境中保持稳定的保护性能。
类型:双向TVS二极管
击穿电压(VBR):5.22V 至 5.77V
反向待机电压(VRWM):4.7V
最大钳位电压(VC):9.2V(在IPP = 1A时)
峰值脉冲电流(IPP):13.5A
峰值脉冲功率(PPPM):1500W(10/1000μs波形)
漏电流(IR):最大1μA
响应时间:小于1ps
工作结温范围(TJ):-55°C 至 +150°C
封装:DFN-2 (SMAFlat)
引脚数:2
极性:双向
UVR2E4R7MPD具备优异的瞬态电压抑制能力,其核心优势在于极快的响应速度和低动态电阻特性,使其在遭遇ESD或雷击浪涌等瞬态过压事件时能够迅速导通并将电压钳制在安全水平,从而有效保护后级敏感电路不受损坏。该器件采用硅基PN结结构并经过优化掺杂工艺处理,确保了击穿电压的一致性和稳定性,在实际应用中表现出良好的批次间重复性。其双向设计允许它在交流信号路径中使用,例如音频线路、USB数据线、RS-232接口等,能够在正负极性的瞬态冲击下均提供对称的保护性能。由于其漏电流极低(最大仅1μA),不会对正常工作状态下的系统功耗造成影响,非常适合用于电池供电的便携式设备如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中。
该TVS二极管的封装形式为DFN-2(也称为SMAFlat),是一种无铅、符合RoHS标准的小型化表面贴装封装,底部带有散热焊盘,有助于提高热传导效率,增强功率耐受能力。这种封装不仅节省空间,还支持自动化贴片生产,提升了制造效率和产品一致性。UVR2E4R7MPD能承受IEC 61000-4-2 Level 4(±8kV接触放电)和IEC 61000-4-4(±40A EFT)等严苛的电磁兼容测试标准,表明其在真实电磁干扰环境下的强大防护能力。此外,器件具有优良的温度稳定性,可在-55°C至+150°C的宽结温范围内可靠运行,适用于高温工业环境或汽车引擎舱附近的电子模块。整体而言,UVR2E4R7MPD是一款高性能、高可靠性的过压保护解决方案,尤其适合需要紧凑尺寸与强健保护能力兼备的设计需求。
该TVS二极管广泛应用于各类需要ESD和瞬态电压保护的电子系统中,典型应用场景包括便携式消费类电子产品如智能手机、平板电脑、笔记本电脑中的USB端口、HDMI接口、耳机插孔等高速信号线保护;通信设备中的以太网端口、电话线路、DSL调制解调器等电信号通道的过压防护;工业控制系统的传感器输入、模拟信号采集前端、数字I/O端口的抗干扰设计;以及汽车电子中的车载信息娱乐系统、CAN总线接口、摄像头模块和车内充电接口的浪涌保护。此外,还可用于电源管理单元的辅助保护、电池充电电路的反接或瞬态冲击防护,以及任何可能存在静电积累或感应雷击风险的低电压信号路径中。由于其小型化封装和高可靠性,特别适合部署在空间受限但环境复杂的现代电子设备内部,确保系统长期稳定运行。
TPD1E10B06