类型：N沟道 MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：100V
　　最大连续漏极电流(Id)：18A
　　导通电阻(Rds(on))：10.2mΩ（典型值）
　　栅极电荷(Qg)：23nC（典型值）
　　输入电容(Ciss)：1500pF（典型值）
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装形式：PowerFLAT 5x6

EROS2PHF1002 具备多项先进特性，首先是其基于超级结技术的结构，显著降低了导通损耗和开关损耗，从而提高了整体能效。在 100V 的漏源电压下，其导通电阻 Rds(on) 仅为 10.2mΩ，这在同类产品中具有竞争力，有助于减少功率损耗和发热。
　　其次，该器件的栅极电荷 Qg 为 23nC，较低的 Qg 有助于降低驱动损耗，提高开关速度，适用于高频开关应用。此外，其输入电容 Ciss 为 1500pF，这在一定程度上减少了高频下的寄生效应，提升了动态响应能力。
　　该器件的封装形式为 PowerFLAT 5x6，具备优异的热管理性能，能够在高电流和高功率密度条件下保持良好的散热效果。这种封装还具有较小的尺寸，适合空间受限的设计，同时支持表面贴装工艺，便于自动化生产。
　　此外，EROS2PHF1002 的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，表明其具备良好的热稳定性，能够在极端环境条件下可靠运行。这一特性使其适用于工业级和汽车级应用，如电动汽车充电系统、不间断电源（UPS）和高功率 DC-DC 转换器。

EROS2PHF1002 广泛应用于高效率电源系统中，特别是在需要高功率密度和低导通损耗的场合。例如，在服务器和电信电源系统中，该器件可用于同步整流、负载开关或 DC-DC 转换器中的主开关元件，以提高整体能效并降低系统发热。
　　在电动汽车充电设备中，EROS2PHF1002 可用于车载充电器（OBC）和 DC-DC 转换器，支持高频率开关操作并提高能量转换效率。此外，该器件还可用于工业自动化设备、太阳能逆变器、不间断电源（UPS）以及电池管理系统（BMS）等应用。
　　由于其优异的热性能和封装设计，该器件也适合用于紧凑型电源适配器、笔记本电脑电源、LED 照明驱动器以及电机控制电路等消费类电子产品中。

SiHF100N10T、STD10NM60N、IRF1010Z、FDP10N10