时间：2025/8/25 3:38:27
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FDC610PZ-G 是由 Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）生产的一款双P沟道增强型MOSFET，采用先进的沟槽技术，提供高效的功率管理解决方案。该器件适用于多种应用，包括电源管理、负载开关、电池供电设备等。FDC610PZ-G采用SOT-223封装，具有低导通电阻、高功率密度和良好的热性能。
类型：P沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：-20V
栅源电压（Vgs）：±12V
连续漏极电流（Id）：-3.1A
导通电阻（Rds(on)）：55mΩ @ Vgs = -4.5V，85mΩ @ Vgs = -2.5V
功率耗散（Pd）：1.5W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装：SOT-223
FDC610PZ-G具备多项优异特性，使其在低电压功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。该器件的栅极驱动电压范围较宽（从-2.5V至-4.5V），适用于多种驱动电路设计。此外，SOT-223封装提供了良好的散热性能，确保器件在高电流工作条件下仍能保持稳定。FDC610PZ-G的沟槽技术实现了更高的芯片密度，从而减少了封装尺寸，使设计更加紧凑。
在热性能方面，FDC610PZ-G具有较高的热稳定性，可承受较高的工作温度而不影响性能。其低栅极电荷（Qg）和低输出电容（Coss）有助于提高开关速度并降低开关损耗，特别适用于高频开关应用。另外，该器件具有较低的阈值电压（Vgs(th)），确保在低电压控制信号下仍能可靠导通。
整体而言，FDC610PZ-G是一款高效、可靠、适用于多种电源管理场景的功率MOSFET，尤其适合空间受限和高效能要求较高的应用。
FDC610PZ-G广泛应用于便携式电子设备、电池管理系统、DC-DC转换器、负载开关、电机控制、电源适配器及各类功率管理电路。其低导通电阻和小尺寸封装使其成为笔记本电脑、平板电脑、智能手机等消费电子产品中的理想选择。此外，该器件也适用于工业控制设备、汽车电子系统以及各类需要高效能功率开关的嵌入式系统。
Si3442DV, BSS84P, FDN340P
