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TFD200N02M 发布时间 时间:2025/6/4 18:55:14 查看 阅读:5

TFD200N02M 是一种 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于开关电源、电机驱动和负载切换等场景。该器件具有低导通电阻和快速开关速度的特点,能够在高频条件下提供高效的性能表现。
  TFD200N02M 的设计使其非常适合需要高效率和高可靠性的应用环境,其封装形式通常为 TO-252 或 DPAK,便于散热并支持表面贴装工艺。

参数

最大漏源电压:200V
  连续漏极电流:7A
  导通电阻(典型值):180mΩ
  栅极电荷:34nC
  输入电容:930pF
  总功耗:6.3W
  工作温度范围:-55℃ 至 +150℃

特性

1. 极低的导通电阻,有助于减少传导损耗并提高系统效率。
  2. 快速开关特性,适合高频应用,能够降低开关损耗。
  3. 高雪崩能量能力,提升了器件在异常条件下的耐用性和可靠性。
  4. 符合 RoHS 标准,环保且适用于现代电子制造流程。
  5. 小型化封装设计,简化了 PCB 布局并提高了功率密度。

应用

1. 开关电源中的主开关或同步整流元件。
  2. DC-DC 转换器中的高频开关元件。
  3. 电机驱动电路中的功率级开关。
  4. 各类负载切换和保护电路。
  5. 工业自动化设备中的功率控制模块。

替代型号

IRFZ44N
  FDP18N20
  STP70NF02L

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