时间：2025/6/4 18:55:14
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TFD200N02M 是一种 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、电机驱动和负载切换等场景。该器件具有低导通电阻和快速开关速度的特点，能够在高频条件下提供高效的性能表现。
TFD200N02M 的设计使其非常适合需要高效率和高可靠性的应用环境，其封装形式通常为 TO-252 或 DPAK，便于散热并支持表面贴装工艺。
最大漏源电压：200V
连续漏极电流：7A
导通电阻（典型值）：180mΩ
栅极电荷：34nC
输入电容：930pF
总功耗：6.3W
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
1. 极低的导通电阻，有助于减少传导损耗并提高系统效率。
2. 快速开关特性，适合高频应用，能够降低开关损耗。
3. 高雪崩能量能力，提升了器件在异常条件下的耐用性和可靠性。
4. 符合 RoHS 标准，环保且适用于现代电子制造流程。
5. 小型化封装设计，简化了 PCB 布局并提高了功率密度。
1. 开关电源中的主开关或同步整流元件。
2. DC-DC 转换器中的高频开关元件。
3. 电机驱动电路中的功率级开关。
4. 各类负载切换和保护电路。
5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
IRFZ44N
FDP18N20
STP70NF02L
