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R6015ANX 发布时间 时间:2025/12/25 11:10:16 查看 阅读:10

R6015ANX是一款由ROHM(罗姆)半导体公司生产的N沟道功率MOSFET,广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动以及其他高效率开关电路中。该器件采用先进的沟槽式场效应技术制造,具备低导通电阻(RDS(on))、高开关速度和良好的热稳定性,能够在高频率下实现高效的能量转换。R6015ANX封装在小型化且具有良好散热性能的Housing 4 (SOP-8L) 封装中,适合对空间要求较高的便携式电子设备和紧凑型电源模块设计。该MOSFET具有增强型工作模式,即在栅极施加正电压时导通,适用于各种低电压控制逻辑接口。其内部结构优化了电荷载流子迁移路径,降低了导通损耗,并通过集成体二极管提供反向电流保护能力。R6015ANX的设计兼顾了高性能与可靠性,在工业控制、消费类电子产品以及通信设备中均有广泛应用。此外,该器件符合RoHS环保标准,支持无铅焊接工艺,适应现代绿色制造的需求。

参数

型号:R6015ANX
  类型:N沟道MOSFET
  最大漏源电压(VDS):60V
  最大漏极电流(ID):15A
  导通电阻(RDS(on)):15mΩ @ VGS=10V, ID=7.5A
  导通电阻(RDS(on)):20mΩ @ VGS=4.5V, ID=7.5A
  栅极阈值电压(Vth):2.0V ~ 3.0V
  输入电容(Ciss):2300pF @ VDS=30V
  输出电容(Coss):540pF @ VDS=30V
  反向恢复时间(trr):25ns
  工作温度范围(Tj):-55℃ ~ +150℃
  封装形式:SOP-8L(Housing 4)
  功耗(Pd):25W

特性

R6015ANX的核心优势在于其出色的低导通电阻特性,这使得它在大电流应用中能够显著降低功率损耗,提升系统整体效率。其典型RDS(on)仅为15mΩ(在VGS=10V条件下),即使在较低的驱动电压如4.5V下也能保持20mΩ的低阻值,表明其具备良好的驱动兼容性,尤其适合使用3.3V或5V逻辑电平直接驱动的应用场景。这种低RDS(on)特性源于ROHM先进的沟槽栅极技术和硅晶圆加工工艺,有效减少了沟道电阻和JFET区域的影响,从而提高了单位面积的载流能力。
  该器件还具备优异的开关性能,得益于较低的栅极电荷(Qg)和米勒电荷(Qsw),使其在高频开关环境中表现出快速的上升和下降时间,减少开关过渡期间的能量损耗。这对于DC-DC变换器、同步整流等需要高频率操作的应用至关重要。同时,其输入电容Ciss为2300pF,输出电容Coss为540pF,在同类产品中处于较优水平,有助于减小驱动电路的负担并提高系统的动态响应能力。
  R6015ANX集成了一个快速恢复的体二极管,反向恢复时间trr仅为25ns,可有效抑制因反向电流引起的电压尖峰和电磁干扰(EMI),特别适用于感性负载切换场合,如电机驱动或继电器控制。此外,器件的最大结温可达+150℃,结合SOP-8L封装的良好散热设计,可在高温环境下稳定运行,增强了系统的环境适应性和长期可靠性。
  封装方面,Housing 4(SOP-8L)是一种表面贴装型封装,体积小巧,便于自动化生产装配,并可通过PCB布局实现有效的热传导。相比传统的TO-220或DPAK封装,该封装更适用于空间受限的应用,如笔记本电脑电源、LED驱动模块、便携式充电设备等。同时,器件符合AEC-Q101车规级可靠性测试标准,部分版本可用于汽车电子系统中的辅助电源或车载设备,进一步拓展了其应用边界。

应用

R6015ANX被广泛用于各类需要高效能、小尺寸功率开关的电子系统中。在电源管理系统中,常作为同步整流MOSFET用于降压(Buck)、升压(Boost)或升降压(Buck-Boost)转换器,特别是在多相VRM(电压调节模块)设计中,多个R6015ANX并联使用可以分担电流,提高转换效率并降低热集中问题。其低RDS(on)和高电流承载能力使其成为服务器主板、台式机CPU供电、GPU电源模块的理想选择。
  在电池供电设备中,例如智能手机、平板电脑、移动电源等,R6015ANX可用于电池充放电管理电路中的开关元件,实现对充放电路径的精确控制,防止过流和短路风险。此外,在LED照明驱动电路中,它可作为主开关管参与恒流控制回路,确保LED光源的稳定亮度和长寿命。
  工业控制领域也是其重要应用场景之一,包括PLC(可编程逻辑控制器)、伺服驱动器、变频器中的隔离驱动电路或功率级开关。由于其具备良好的抗噪能力和热稳定性,能在复杂电磁环境中可靠工作。在汽车电子方面,R6015ANX可用于车载信息娱乐系统电源、ADAS传感器供电模块或车身控制单元(BCM)中的电源开关,满足车载环境对耐温、抗震和长寿命的要求。
  此外,该器件也适用于电动工具、无人机电调、家用电器(如空调、洗衣机)中的电机驱动电路,作为H桥或半桥拓扑中的开关元件,实现对电机转速和方向的精准调控。其快速开关特性和集成体二极管为电机反电动势提供了安全泄放通道,提升了系统安全性。

替代型号

RJK0630DPB
  SISS9810DDT1G
  FDMC8878

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R6015ANX参数

  • 特色产品ECOMOS? Series MOSFETs
  • 标准包装500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)600V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C15A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C300 毫欧 @ 7.5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4.5V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs50nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1700pF @ 25V
  • 功率 - 最大50W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3 整包
  • 供应商设备封装TO-220FM
  • 包装散装