时间：2025/4/30 15:33:28
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SI2301BDS 是一款由 Vishay 提供的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用小尺寸封装（TSOT23-3），具有低导通电阻和高开关速度，适用于多种功率管理应用，如负载开关、DC-DC 转换器和便携式设备中的电源管理电路。其出色的性能和紧凑的设计使其成为需要高效能和节省空间的应用的理想选择。
该型号具体为 SI2301BDS-T1-E3，其中 -T1 表示包装形式为卷带封装，-E3 表示符合 Vishay 内部质量标准的一种等级。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±8V
连续漏极电流：1.8A
导通电阻（Rds(on)）：75mΩ（在 Vgs=4.5V 时）
栅极电荷：3.5nC（典型值）
开关时间：ton=9ns，toff=16ns（典型值）
工作结温范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：TSOT23-3
1. 高效功率开关：具备低导通电阻 (Rds(on)) 和低栅极电荷 (Qg)，能够减少导通损耗和开关损耗。
2. 小型化设计：采用 TSOT23-3 封装，适合空间受限的应用场景。
3. 快速开关能力：短开关时间和低栅极电荷使得器件非常适合高频开关应用。
4. 热稳定性强：支持高达 150°C 的结温，保证了高温环境下的可靠性。
5. 符合 RoHS 标准：环保材料，满足现代电子产品的绿色要求。
1. 手机和其他便携式设备中的负载开关。
2. DC-DC 转换器和 POL（Point of Load）转换器。
3. 电池供电设备的电源管理。
4. 开关模式电源 (SMPS) 中的次级侧同步整流。
5. 电机驱动和保护电路。
6. 各种低电压、大电流的开关应用。
SI2302DS, SI2303DS, BSS138
