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IKW40N120CS6XKSA1 发布时间 时间:2025/4/30 9:37:13 查看 阅读:16

IKW40N120CS6XKSA1 是一款由英飞凌(Infineon)生产的高压 MOSFET 芯片,属于 CoolMOS 系列。该系列以其高效率和低导通电阻特性而闻名,广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器以及其他需要高效功率转换的领域。
  这款芯片采用了先进的超结技术,能够在高频工作条件下提供卓越的性能表现,同时具有较低的开关损耗和导通损耗。

参数

型号:IKW40N120CS6XKSA1
  类型:N沟道 MOSFET
  VDS(漏源极电压):1200V
  RDS(on)(导通电阻):40mΩ
  ID(连续漏极电流):29A
  Qg(总栅极电荷):85nC
  EAS(雪崩能量):3.1J
  封装形式:TO-247-3
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

IKW40N120CS6XKSA1 的主要特性包括:
  1. 高击穿电压(1200V),适用于高压应用环境。
  2. 低导通电阻(40mΩ),在大电流应用中降低功耗。
  3. 快速开关速度,减少开关损耗,提高系统效率。
  4. 极低的栅极电荷,有助于高频操作。
  5. 具备雪崩能量保护功能,提高了器件在异常情况下的可靠性。
  6. 使用 TO-247-3 封装,便于散热设计和电路板布局。
  这些特性使该器件非常适合于要求高效率和高可靠性的工业级应用。

应用

IKW40N120CS6XKSA1 主要应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS),例如适配器和充电器。
  2. 工业电机驱动,如伺服驱动和变频器。
  3. 太阳能逆变器和储能系统。
  4. DC-DC 转换器,用于电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV)。
  5. PFC(功率因数校正)电路。
  其高压特性和高效性能使其成为许多电力电子设备的理想选择。

替代型号

IKW40N120CP6XKSA1
  IKW40N120CH6XKSA1
  IPW40N120CP6XKSA1

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IKW40N120CS6XKSA1参数

  • 现有数量940现货
  • 价格1 : ¥64.24000管件
  • 系列TrenchStop?
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • IGBT 类型沟槽型场截止
  • 电压 - 集射极击穿(最大值)1200 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值)80 A
  • 电流 - 集电极脉冲 (Icm)160 A
  • 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)(最大值)2.15V @ 15V,40A
  • 功率 - 最大值500 W
  • 开关能量2.55mJ(开),1.55mJ(关)
  • 输入类型标准
  • 栅极电荷285 nC
  • 25°C 时 Td(开/关)值27ns/315ns
  • 测试条件600V,40A,9 欧姆,15V
  • 反向恢复时间 (trr)400 ns
  • 工作温度-40°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-247-3
  • 供应商器件封装PG-TO247-3-41