IKW40N120CS6XKSA1 是一款由英飞凌(Infineon)生产的高压 MOSFET 芯片,属于 CoolMOS 系列。该系列以其高效率和低导通电阻特性而闻名,广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器以及其他需要高效功率转换的领域。
这款芯片采用了先进的超结技术,能够在高频工作条件下提供卓越的性能表现,同时具有较低的开关损耗和导通损耗。
型号:IKW40N120CS6XKSA1
类型:N沟道 MOSFET
VDS(漏源极电压):1200V
RDS(on)(导通电阻):40mΩ
ID(连续漏极电流):29A
Qg(总栅极电荷):85nC
EAS(雪崩能量):3.1J
封装形式:TO-247-3
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
IKW40N120CS6XKSA1 的主要特性包括:
1. 高击穿电压(1200V),适用于高压应用环境。
2. 低导通电阻(40mΩ),在大电流应用中降低功耗。
3. 快速开关速度,减少开关损耗,提高系统效率。
4. 极低的栅极电荷,有助于高频操作。
5. 具备雪崩能量保护功能,提高了器件在异常情况下的可靠性。
6. 使用 TO-247-3 封装,便于散热设计和电路板布局。
这些特性使该器件非常适合于要求高效率和高可靠性的工业级应用。
IKW40N120CS6XKSA1 主要应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS),例如适配器和充电器。
2. 工业电机驱动,如伺服驱动和变频器。
3. 太阳能逆变器和储能系统。
4. DC-DC 转换器,用于电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV)。
5. PFC(功率因数校正)电路。
其高压特性和高效性能使其成为许多电力电子设备的理想选择。
IKW40N120CP6XKSA1
IKW40N120CH6XKSA1
IPW40N120CP6XKSA1