MRF21060 时间：2025/9/4 1:58:52 阅读：36

MRF21060 是一款由 NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的高功率射频（RF）晶体管，基于LDMOS（横向扩散金属氧化物半导体）技术，专为在高功率应用中提供优异的性能而设计。该器件适用于工作频率在DC至1 GHz范围内的多种射频放大器应用，包括广播、通信基础设施和工业设备。MRF21060能够在高电压下运行，提供高达60W的连续波（CW）输出功率，同时保持高效率和线性度。

参数

类型：LDMOS RF功率晶体管
　　最大输出功率：60W（CW）
　　工作频率：DC至1 GHz
　　工作电压：28V
　　增益：约20 dB
　　效率：约65%
　　封装类型：AB包（陶瓷封装）
　　输入驻波比（VSWR）：2:1（典型值）
　　工作温度范围：-65°C至+150°C

特性

MRF21060 的核心特性之一是其宽频带操作能力，使其适用于从低频到UHF频段的广泛应用。该器件的LDMOS技术提供了较高的功率密度和良好的热稳定性，使其能够在苛刻的环境中可靠运行。MRF21060的高效率特性使其在高功率输出下仍能保持较低的功耗，从而减少散热需求并提高系统整体能效。此外，该器件具有出色的线性度，适用于需要高信号完整性的应用，如数字通信系统中的功率放大器。MRF21060还具备良好的抗失配能力，能在负载变化的情况下保持稳定运行，从而提高系统的鲁棒性。

应用

MRF21060 主要用于需要高功率和高效率的射频放大器设计，如调频（FM）广播发射机、蜂窝基站、无线基础设施设备以及工业和科学仪器。在广播应用中，MRF21060可用于构建高功率音频广播发射器，提供稳定可靠的输出。在通信系统中，它适用于用于4G LTE和早期5G部署的基站功率放大器模块。此外，MRF21060也广泛用于测试设备和测量系统，作为信号发生器和放大器的核心组件。由于其良好的频率覆盖能力和输出功率水平，MRF21060也适用于业余无线电和特殊通信设备的功率放大级设计。