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MRF21060 发布时间 时间:2025/9/4 1:58:52 查看 阅读:11

MRF21060 是一款由 NXP Semiconductors(恩智浦半导体)生产的高功率射频(RF)晶体管,基于LDMOS(横向扩散金属氧化物半导体)技术,专为在高功率应用中提供优异的性能而设计。该器件适用于工作频率在DC至1 GHz范围内的多种射频放大器应用,包括广播、通信基础设施和工业设备。MRF21060能够在高电压下运行,提供高达60W的连续波(CW)输出功率,同时保持高效率和线性度。

参数

类型:LDMOS RF功率晶体管
  最大输出功率:60W(CW)
  工作频率:DC至1 GHz
  工作电压:28V
  增益:约20 dB
  效率:约65%
  封装类型:AB包(陶瓷封装)
  输入驻波比(VSWR):2:1(典型值)
  工作温度范围:-65°C至+150°C

特性

MRF21060 的核心特性之一是其宽频带操作能力,使其适用于从低频到UHF频段的广泛应用。该器件的LDMOS技术提供了较高的功率密度和良好的热稳定性,使其能够在苛刻的环境中可靠运行。MRF21060的高效率特性使其在高功率输出下仍能保持较低的功耗,从而减少散热需求并提高系统整体能效。此外,该器件具有出色的线性度,适用于需要高信号完整性的应用,如数字通信系统中的功率放大器。MRF21060还具备良好的抗失配能力,能在负载变化的情况下保持稳定运行,从而提高系统的鲁棒性。

应用

MRF21060 主要用于需要高功率和高效率的射频放大器设计,如调频(FM)广播发射机、蜂窝基站、无线基础设施设备以及工业和科学仪器。在广播应用中,MRF21060可用于构建高功率音频广播发射器,提供稳定可靠的输出。在通信系统中,它适用于用于4G LTE和早期5G部署的基站功率放大器模块。此外,MRF21060也广泛用于测试设备和测量系统,作为信号发生器和放大器的核心组件。由于其良好的频率覆盖能力和输出功率水平,MRF21060也适用于业余无线电和特殊通信设备的功率放大级设计。

替代型号

MRF1512, MRF1510, MRFE6VP6040H

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