时间：2025/7/1 21:11:15
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IPD110N12N3G是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由Infineon Technologies生产。该器件采用了先进的TRENCHSTOP?技术，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适合用于各种高频和高效能的应用场景。其封装形式为TO-252(DPAK)，便于散热和电路板布局设计。
这款MOSFET适用于电源管理、电机驱动、DC-DC转换器以及其他需要高效功率切换的领域。其出色的电气特性和可靠性使其成为业界广泛使用的功率器件之一。
最大漏源电压：120V
连续漏极电流：110A
导通电阻：3.5mΩ
栅极电荷：48nC
开关时间：典型值ton=9ns，toff=16ns
工作结温范围：-55℃至+175℃
IPD110N12N3G采用Infineon专有的TRENCHSTOP?技术，确保了低导通电阻的同时还保持了较低的开关损耗。此外，该器件具有以下特点：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)）使得在大电流应用中发热更少，效率更高。
2. 高速开关性能减少了能量损耗，并允许更高的工作频率。
3. 内置反并联二极管（FWD），支持续流功能，简化了电路设计。
4. 较宽的工作温度范围使其能够在极端条件下稳定运行。
5. 符合RoHS标准，环保无铅封装。
这些特性使IPD110N12N3G非常适合应用于如服务器电源、电信设备、工业自动化等领域的功率转换和控制。
IPD110N12N3G主要应用于以下几个方面：
1. 开关电源（SMPS）中的功率级开关。
2. DC-DC转换器中的同步整流和主开关。
3. 电动工具和家用电器的电机驱动控制。
4. 工业设备中的负载开关和保护电路。
5. 新能源系统，例如太阳能逆变器和电池管理系统（BMS）。
由于其高性能和稳定性，这款MOSFET能够满足现代电子设备对效率和可靠性的严格要求。
IPW110N12N3G, IPP110N12N3G
