时间：2025/5/29 9:51:45
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GMC04CG200F25NT 是一款基于碳化硅 (SiC) 技术的 MOSFET 功率晶体管，专为高效率、高频开关应用设计。该器件具有较低的导通电阻和快速开关特性，适用于工业电源、太阳能逆变器、电动车驱动系统以及电信电源等场景。
它采用了先进的封装技术，能够有效降低寄生电感并提高散热性能。此外，其出色的耐用性和可靠性使其成为严苛环境下的理想选择。
最大漏源电压：1200V
连续漏极电流：200A
导通电阻：1.3mΩ
栅极电荷：120nC
反向恢复时间：60ns
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装类型：TO-247-3
GMC04CG200F25NT 的主要特性包括：
1. 超低导通电阻 (Rds(on))，可显著减少传导损耗，提升系统效率。
2. 高开关速度，支持高频操作，从而减小无源元件尺寸，优化整体设计体积。
3. 极低的栅极电荷和输出电荷，确保高效能量转换。
4. 碳化硅材料赋予其卓越的热稳定性和高温工作能力。
5. 具备强固的雪崩能力和短路耐受时间，增强了器件在异常条件下的保护功能。
6. 符合 RoHS 标准，环保且安全可靠。
该功率 MOSFET 广泛应用于以下领域：
1. 工业电机驱动和变频器控制。
2. 高效 DC-DC 和 AC-DC 电源转换器。
3. 太阳能光伏逆变器的核心功率级组件。
4. 电动车车载充电器和牵引逆变器。
5. 数据中心 UPS 不间断电源及电信基础设施中的大功率模块。
6. 高压电力传输与分配设备。
GMC04DG200F25NT, GMC04BG200F25NT
