时间：2025/9/14 9:20:54
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PBSS2515YPN,115 是一款由 NXP（恩智浦）半导体公司生产的 P 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用小型无铅封装（通常为 TSOP 或类似封装），适用于需要高效率、低功耗和紧凑设计的电源管理系统。PBSS2515YPN,115 的设计使其能够在中低功率应用中提供良好的性能，例如负载开关、DC-DC 转换器、电池供电设备和便携式电子产品。
类型：P 沟道 MOSFET
漏源电压（VDS）：-20V
栅源电压（VGS）：±8V
连续漏极电流（ID）：-2.5A（在25°C）
导通电阻（RDS(on)）：约 150mΩ（在VGS = -4.5V）
功率耗散（PD）：1.4W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：TSOP
引脚数：6
阈值电压（VGS(th)）：-0.45V 至 -1.5V
PBSS2515YPN,115 是一款高性能的 P 沟道 MOSFET，适用于多种低电压电源管理应用。其主要特性包括低导通电阻（RDS(on)），这有助于降低导通状态下的功率损耗，提高系统效率。此外，该器件的栅极电荷较低，使得其在高频开关应用中具有良好的响应能力，从而减少了开关损耗。
该 MOSFET 支持宽范围的栅极驱动电压，通常在 -4.5V 至 -8V 之间工作，使其适用于多种控制器和驱动电路。其阈值电压较低，确保在较低的控制电压下也能可靠导通。
PBSS2515YPN,115 采用小型 TSOP 封装，节省 PCB 空间，非常适合高密度电路设计。该封装还提供了良好的热性能，有助于在较高负载条件下保持稳定的工作温度。
此器件的工作温度范围较宽，可在 -55°C 至 150°C 之间正常工作，适合在极端环境条件下使用，如工业控制、汽车电子和便携式设备等。其无铅封装符合 RoHS 标准，满足环保要求。
整体而言，PBSS2515YPN,115 是一款适合低电压、中等电流应用的高性价比 MOSFET，能够在多种电源管理电路中提供可靠、高效的性能。
PBSS2515YPN,115 常用于多种电源管理应用，如负载开关、DC-DC 转换器和电池供电设备。其低导通电阻和小型封装使其非常适合便携式电子产品，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备。此外，该器件也可用于工业控制系统中的低电压电源切换和汽车电子中的电源管理模块。
SI2301DS, IRML2803, AO3401A, BSS84
