类型：P 沟道增强型 MOSFET
　　漏源电压 (VDS)：-30V
　　栅源电压 (VGS)：±20V
　　连续漏极电流 (ID)：-4.1A (在 VGS = -10V)
　　导通电阻 RDS(on)：最大 52mΩ (在 VGS = -10V)
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：SOT-223

MV1PMT4108 的主要特性之一是其低导通电阻，这有助于减少导通状态下的功率损耗，提高整体系统效率。该器件的 RDS(on) 在 VGS = -10V 时最大为 52mΩ，这一数值在同类产品中表现优异，能够有效降低发热并提高能量转换效率。
　　此外，MV1PMT4108 具有较高的耐压能力，漏源电压额定值为 -30V，能够在较高电压环境下稳定工作，适合用于多种电源管理应用。同时，它的栅源电压容限为 ±20V，具有较强的抗过压能力，从而增强了器件的可靠性。
　　该 MOSFET 采用 SOT-223 封装，这种封装形式具有良好的热性能和较小的占板空间，非常适合用于紧凑型电子产品设计，例如便携式设备和嵌入式系统。SOT-223 封装还提供了较好的散热能力，使得器件能够在较高电流下持续运行而不至于过热损坏。
　　MV1PMT4108 还具备较快的开关速度，有助于减少开关过程中的能量损耗，这对于高频开关应用如 DC-DC 转换器尤为重要。快速开关能力还可以帮助减少外部滤波元件的体积，进一步缩小整体电路的尺寸。

MV1PMT4108 主要应用于各种类型的电源管理系统中，特别是在负载开关、DC-DC 转换器、电池供电设备和便携式电子产品中广泛使用。由于其低导通电阻和高耐压能力，它非常适合用作高边开关来控制电源的传输路径，确保系统的高效运行。
　　在电池供电设备中，MV1PMT4108 可以作为负载开关用于断开闲置电路的供电，从而延长电池寿命。在 DC-DC 转换器中，它可以用来实现高效的电压调节和能量转换。此外，由于其 SOT-223 小型封装，该器件也非常适合用于对空间要求严格的便携式电子设备，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备等。
　　在汽车电子系统中，MV1PMT4108 也可用于电源管理和配电系统，提供可靠的高边开关功能，确保车辆内部不同子系统的电源供应能够被精确控制。

Si4435BDY, IRML6401, FDN340P