QR406D 时间：2025/8/15 1:32:55 阅读：7

QR406D是一款由东芝（Toshiba）推出的N沟道功率MOSFET，广泛应用于电源管理和功率转换领域。该器件设计用于高效能操作，并具备低导通电阻和高开关速度的特点，适合用于DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统以及电机控制等应用场景。QR406D采用小型表面贴装封装，具有良好的热性能和电气性能，适用于高密度电子设备。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：60V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：100A（在Tc=25℃）
　　功耗（PD）：120W
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　存储温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装类型：TO-252（DPAK）
　　导通电阻（RDS(on)）：最大值12mΩ（在VGS=10V）

特性

QR406D具有多个关键特性，使其在功率电子应用中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通损耗，提高了整体效率。这在高电流应用中尤为重要，因为它有助于减少发热并提高系统稳定性。其次，该MOSFET具备高栅极阈值电压（VGS(th)），确保在开关过程中具有良好的抗干扰能力，从而降低误触发的风险。
　　此外，QR406D采用了先进的沟槽式MOSFET技术，优化了开关性能，减少了开关损耗。这使得器件能够在高频开关应用中保持高效运行，同时降低电磁干扰（EMI）。该器件的封装设计也经过优化，具备良好的散热能力，能够有效地将热量传导到PCB上，从而提升整体热稳定性。
　　安全性方面，QR406D具备较高的雪崩能量耐受能力，能够在瞬态过压条件下提供一定的保护作用。此外，其高短路耐受能力使其在负载突变或短路情况下仍能维持稳定运行，从而提高系统的可靠性。该MOSFET符合RoHS环保标准，适用于现代电子产品对环保材料的要求。

应用

QR406D广泛应用于多种功率电子系统中，如DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机驱动器和电源管理模块等。在汽车电子领域，该器件可用于车载充电器、启停系统和电动助力转向系统等应用。在工业自动化设备中，QR406D可用于电源供应模块、电机控制电路和工业逆变器等场景。
　　此外，该MOSFET也可用于消费类电子产品，如笔记本电脑、平板电脑和智能手机的电源管理电路中，以提高能源利用效率并延长电池续航时间。由于其高可靠性和优异的热性能，QR406D还适用于需要长时间稳定运行的工业和汽车应用。在太阳能逆变器和储能系统中，该器件可用于实现高效的能量转换和管理。