HAT1121R-EL 时间：2025/9/6 23:26:32 阅读：12

HAT1121R-EL是一款由瑞萨电子（Renesas Electronics）推出的N沟道功率MOSFET，广泛用于各种电源管理和开关应用。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）和高耐压能力，适用于高效能、高频率的开关操作。HAT1121R-EL采用紧凑型PowerPAK 1212-8封装，有助于减小电路板空间并提高热性能。这款MOSFET在设计上优化了导通损耗和开关损耗，使其非常适合用于DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统以及其他需要高效率功率转换的场合。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：12A（在Tc=25℃时）
　　导通电阻（Rds(on)）：最大值12.5mΩ（在Vgs=10V时）
　　功耗（Pd）：3.2W
　　工作温度范围：-55℃至150℃
　　封装类型：PowerPAK 1212-8

特性

HAT1121R-EL具备多项优异特性，使其在功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）有助于降低导通损耗，提高系统效率。在Vgs=10V时，Rds(on)最大值为12.5mΩ，确保在高电流下仍能保持较低的功率损耗。此外，该器件支持高达12A的连续漏极电流，适用于中高功率应用场景。
　　该MOSFET采用PowerPAK 1212-8封装，具有良好的热管理性能，有助于快速散热，提升器件在高负载条件下的稳定性。封装尺寸紧凑，有助于节省PCB空间，适合高密度电路设计。
　　HAT1121R-EL的栅极驱动电压范围为±20V，兼容标准MOSFET驱动电路，并具备较强的抗干扰能力。器件的开关特性优化，能够支持高频开关操作，适用于DC-DC转换器、同步整流等高频应用。
　　此外，该MOSFET具备宽工作温度范围（-55℃至150℃），可在恶劣环境下稳定运行，适用于汽车电子、工业控制、通信设备等对可靠性要求较高的应用领域。

应用

HAT1121R-EL适用于多种功率电子系统，包括DC-DC转换器、同步整流电路、负载开关、电机驱动器以及电池管理系统。在服务器电源、电信设备、便携式电子产品和汽车电子系统中，该器件能够有效提升电源转换效率并减少热量产生。此外，该MOSFET还可用于功率放大器、电源管理模块以及各类高效能电源适配器中。