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H57V6462GTR-60I 发布时间 时间:2025/9/1 12:52:15 查看 阅读:10

H57V6462GTR-60I 是一款由Hynix(现为SK hynix)制造的DRAM(动态随机存取存储器)芯片,属于高速DRAM系列,常用于需要高性能存储解决方案的嵌入式系统、工业控制设备、网络设备和消费电子产品中。该型号为64Mbit容量,采用同步模式工作,具备高速数据访问能力。

参数

容量:64Mbit
  类型:DRAM
  封装:TSOP
  引脚数:54
  工作温度范围:-40°C至+85°C
  电源电压:3.3V
  最大存取时间:6ns
  时钟频率:166MHz
  数据速率:166MHz

特性

H57V6462GTR-60I是一款高性能同步DRAM芯片,其主要特性包括高速访问能力和低功耗设计,适用于需要快速数据处理的场景。该芯片支持同步模式操作,能够与高速控制器实现无缝连接,提升整体系统性能。此外,其低功耗特性使其适用于对功耗敏感的嵌入式设备和便携式电子产品。
  这款DRAM芯片的64Mbit容量可以满足中等规模数据存储需求,而其166MHz的数据速率则确保了快速的数据传输能力。TSOP封装形式不仅有助于减小PCB空间占用,还能提供良好的散热性能,适用于高密度设计的电路板。此外,该芯片支持-40°C至+85°C的工业级工作温度范围,确保在恶劣环境下仍能稳定运行。
  H57V6462GTR-60I还具备自动刷新功能,能够在不增加主控制器负担的情况下维持数据完整性,适用于长时间运行的系统。其3.3V电源供电设计也使其兼容多种电源管理系统,适用于多种应用场景。

应用

H57V6462GTR-60I广泛应用于各类需要高性能存储模块的电子设备中,包括工业控制设备、网络交换设备、路由器、嵌入式系统、智能卡终端、视频监控设备和消费类电子产品。由于其高速存取能力和稳定性,该芯片也适用于图像处理、数据缓存及实时数据传输等应用场景。

替代型号

H57V6462GTR-60C, H57V6462GTR-60B, H57V6462GTR-60S

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