电容值：2200 μF
　　 容差：±20%
　　 额定电压：10 V
　　 工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　 封装形式：表面贴装 (SMD)
　　 ESR（等效串联电阻）：典型值 0.025 Ω
　　 系列：T510 系列

KH42JM2-912 钽电容器具有多个显著的特性，使其在多种应用中表现优异。首先，它具有较高的电容密度，这意味着在较小的封装中可以提供较大的电容值，适用于空间受限的设计。其次，其低 ESR 特性能够有效降低功率损耗并提高电路的稳定性，特别是在高频率工作条件下。此外，该器件的额定工作温度范围较宽，可以在极端环境下可靠运行，使其适用于工业和汽车电子应用。KH42JM2-912 的设计也具有良好的去耦能力，有助于减少电源噪声和电压波动，从而提高电路的整体性能。最后，该电容器采用表面贴装封装，适用于自动化生产流程，提高了制造效率和焊接可靠性。
　　该器件的另一个关键特性是其优异的长期稳定性。由于钽电容器的材料特性，KH42JM2-912 在长时间使用过程中电容值变化较小，能够维持稳定的电气性能。此外，该器件具有较低的漏电流，有助于提高系统的能效表现，尤其适用于低功耗应用。对于需要高可靠性的应用场景，例如航空航天、医疗设备和通信基础设施，KH42JM2-912 是一个理想的选择。

KH42JM2-912 主要应用于需要高电容值和低 ESR 的电子电路中。例如，它可以用于电源管理模块中的输出滤波电容器，以稳定电压并减少输出纹波。在去耦电路中，该电容器能够有效抑制高频噪声，提高数字电路的稳定性。此外，它也适用于便携式电子产品、工业控制系统、汽车电子系统以及通信设备等高可靠性要求的应用场景。

T491D225K010AT, T510B225K010ATE491