工作电压范围：2.0V ~ 6.0V
　　输出电压：5.0V（固定）
　　最大输出电流：300mA
　　静态电流：典型值4μA
　　输出电压精度：±2%
　　压差电压：300mA负载下典型值为300mV
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　封装形式：DFN1212-6 或类似小型封装
　　关断电流：≤0.1μA
　　电源抑制比（PSRR）：在1kHz下典型值为70dB
　　负载调整率：±5mV（全负载范围内）
　　线路调整率：±0.1%/V

R1172N501A-TR-FE具备多项优异的电气和物理特性，使其在同类LDO产品中具有较强的竞争力。首先，该器件采用了CMOS工艺与反馈环路优化设计，实现了极低的输出噪声和高电源抑制比，特别适合为ADC、DAC、RF模块等对电源纯净度要求高的模拟电路供电。其高PSRR特性意味着即使在输入端存在纹波或噪声的情况下，也能有效抑制这些干扰传递到输出端，从而保障系统的信号完整性。其次，该LDO具有快速的瞬态响应能力，在负载电流发生突变时，输出电压能够迅速恢复稳定，避免系统因电压跌落而出现复位或误操作。这一特性对于动态功耗变化较大的微处理器或无线通信模块尤为重要。
　　该芯片还集成了多重保护机制，包括热关断保护和电流限制功能。当芯片因环境温度过高或持续大电流工作导致结温超过安全阈值时，内部热保护电路会自动切断输出，防止器件损坏；当输出短路或过载时，限流电路将限制输出电流在安全范围内，进一步提升系统可靠性。此外，R1172N501A-TR-FE支持使能（Enable）控制功能，允许用户通过外部逻辑信号开启或关闭稳压器，实现电源管理策略中的节能模式或系统休眠功能，极大提升了系统的能效管理灵活性。
　　在封装方面，该器件采用超小型DFN封装，尺寸紧凑（通常为1.2mm x 1.2mm或更小），不仅节省宝贵的PCB面积，还具备良好的散热性能。这种封装形式适用于智能手机、可穿戴设备、物联网终端等对空间高度敏感的应用场景。同时，其无铅、符合RoHS环保标准的设计也满足现代电子产品对绿色环保的要求。整体而言，R1172N501A-TR-FE凭借其低功耗、高稳定性、小尺寸和高可靠性，成为众多便携式电子设备中理想的电源解决方案之一。

R1172N501A-TR-FE因其低静态电流、高稳定性和小封装特性，被广泛应用于各种便携式和电池供电设备中。典型应用场景包括智能手机、平板电脑、智能手表和其他可穿戴设备中的辅助电源轨管理。在这些设备中，它常用于为传感器模块（如加速度计、陀螺仪、心率传感器）、实时时钟（RTC）、低功耗MCU或蓝牙/Wi-Fi射频前端提供干净且稳定的5.0V电源。由于其高PSRR和低噪声表现，该LDO也非常适合为音频编解码器、麦克风偏置电路或精密模拟前端供电，以减少电源噪声对音质或信号采集精度的影响。
　　在工业和医疗电子领域，R1172N501A-TR-FE可用于便携式测量仪器、血糖仪、血压计等设备中，为敏感的模拟电路或数据转换器（ADC/DAC）提供高质量的电源。其宽输入电压范围和稳定的输出性能使其能够适应不同电池类型（如锂离子、碱性电池）的放电曲线变化，确保在整个电池寿命期间系统都能可靠运行。此外，在物联网（IoT）节点、无线传感器网络和智能家居设备中，该器件可用于为低功耗无线收发模块（如Zigbee、LoRa、BLE）供电，帮助延长设备的电池续航时间。
　　在消费类电子产品中，如TWS耳机、电子书阅读器、数码相机和小型无人机中，R1172N501A-TR-FE同样发挥着重要作用。它不仅能为微控制器核心供电，还可作为多电源系统中的次级稳压单元，配合DC-DC转换器使用，形成混合电源架构，兼顾效率与噪声性能。总之，凡是需要高精度、低噪声、小体积和低功耗LDO的场合，R1172N501A-TR-FE都是一个非常理想的选择。

XC6206P502MR-G
　　HT7550-1
　　MIC5205-5.0YM5-TR
　　TPS78350DDCR