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GA1812A820GBHAT31G 发布时间 时间:2025/7/1 6:50:57 查看 阅读:6

GA1812A820GBHAT31G 是一款高容量、低功耗的 DDR4 内存颗粒,广泛应用于台式机、笔记本电脑以及服务器等设备中。该芯片采用先进的制程工艺制造,具备高速数据传输能力和稳定的性能表现。其封装形式为 BGA(球栅阵列),适合高密度贴装需求。
  DDR4 技术相比之前的 DDR3 提供了更高的频率范围和更低的工作电压,从而显著提高了系统性能并降低了能耗。

参数

类型:DDR4 SDRAM
  容量:8Gb (1Gx8)
  工作电压:1.2V
  数据速率:2666Mbps
  封装形式:BGA
  I/O 电压:1.2V
  温度范围:-40°C 至 +85°C
  引脚数:78-ball
  组织结构:1Gx8

特性

GA1812A820GBHAT31G 的主要特点包括高速数据传输、低功耗设计以及出色的稳定性。
  1. 高速数据传输:支持高达 2666 Mbps 的数据传输速率,满足现代计算设备对内存带宽的需求。
  2. 低功耗设计:采用 1.2V 工作电压,有效降低整体系统功耗。
  3. 稳定性:具备 ECC(错误检查与纠正)功能选项,可提高数据完整性和可靠性。
  4. 小型化封装:使用 BGA 封装技术,节省 PCB 空间并提升散热性能。
  5. 广泛的温度适应能力:能够在 -40°C 至 +85°C 的工业级温度范围内正常运行,适用于多种环境条件。

应用

该芯片适用于需要高性能内存解决方案的各种电子设备。
  1. 台式机和笔记本电脑:提供快速的数据处理能力,支持多任务操作。
  2. 服务器和数据中心:凭借高稳定性和大容量,满足大规模数据存储和处理需求。
  3. 嵌入式系统:在工业控制、通信设备和其他嵌入式应用中发挥重要作用。
  4. 游戏设备:为游戏主机和高性能显卡提供流畅的图形渲染支持。

替代型号

GA1812A820GBHAT31M, GA1812A820GBHAT31L

GA1812A820GBHAT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容82 pF
  • 容差±2%
  • 电压 - 额定3000V(3kV)
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1812(4532 公制)
  • 大小 / 尺寸0.177" 长 x 0.126" 宽(4.50mm x 3.20mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.086"(2.18mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-