BS2S7HZ0502 时间：2025/8/28 18:03:17 阅读：9

BS2S7HZ0502 是一款由 ROHM（罗姆）半导体公司生产的 N 沟道功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率功率转换和开关应用。该器件采用高性能硅技术，具有低导通电阻、高耐压和高电流容量等特点，适合用于 DC-DC 转换器、电源管理、马达控制以及负载开关等应用场景。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：20 V
　　栅源电压（Vgs）：±12 V
　　连续漏极电流（Id）：10 A
　　导通电阻（Rds(on)）：最大 7.3 mΩ @ Vgs=4.5 V
　　功率耗散（Pd）：40 W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装形式：HSON（表面贴装）

特性

BS2S7HZ0502 的主要特性之一是其非常低的导通电阻（Rds(on)），这有助于降低功率损耗，提高系统效率。其低 Rds(on) 特性使得在高电流应用中，MOSFET 的温升较小，从而提高整体系统的可靠性和稳定性。
　　该器件采用了先进的沟槽式硅技术，使得其在栅极驱动电压较低（如 4.5V）时仍能保持良好的导通性能，适用于多种低电压驱动电路。
　　此外，BS2S7HZ0502 具有良好的热稳定性，其封装设计有助于快速散热，从而保证在高功率操作下的长期稳定性。这种 MOSFET 还具备良好的抗雪崩能力和过载电流承受能力，使其在高应力工作环境下依然能够保持稳定运行。
　　BS2S7HZ0502 的封装为 HSON（Heat Sink Outline No-lead），属于表面贴装型封装，有助于节省 PCB 空间并提高装配效率，非常适合用于高密度电路设计。

应用

BS2S7HZ0502 主要应用于需要高效率和高电流能力的功率电路中。它常用于 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机驱动电路以及各种电源管理系统。
　　在笔记本电脑、平板电脑、智能手机等便携设备中，BS2S7HZ0502 可用于电源管理模块，以实现高效的电能转换与分配。
　　此外，它也广泛应用于工业控制系统、自动化设备和汽车电子系统中的电源转换和电机控制部分。例如，在电动汽车（EV）或混合动力汽车（HEV）的辅助电源系统中，该 MOSFET 可用于高效能电源转换器的设计。
　　由于其低导通电阻和高电流承载能力，BS2S7HZ0502 在需要频繁开关操作的应用中表现出色，如 PWM（脉宽调制）控制电路和高频率开关电源。