类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：20V
　　连续漏极电流（ID）：13A
　　导通电阻（RDS(on)）：0.013Ω（典型值，VGS=10V）
　　功耗（PD）：50W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装形式：SOT-223

QM13013TR13-10K 的主要特性包括极低的导通电阻（RDS(on)），这有助于减少导通损耗并提高系统效率。该器件采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，提供更高的电流处理能力和更小的芯片尺寸，从而在高功率密度应用中表现出色。此外，该 MOSFET 具有良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作。
　　其 SOT-223 封装形式支持表面贴装工艺，适用于自动化生产和高密度 PCB 布局。该器件还具备快速开关特性，适合用于高频开关电源、DC-DC 转换器和电机控制等应用。此外，其栅极驱动电压范围较宽，可在 4.5V 至 20V 之间正常工作，使其兼容多种驱动电路设计。
　　在可靠性方面，QM13013TR13-10K 具有较高的耐用性和较长的使用寿命，适用于工业级和汽车电子系统。其优异的短路和过载承受能力也增强了其在严苛环境中的适用性。

QM13013TR13-10K 广泛应用于各类电源管理系统，包括同步整流器、DC-DC 转换器、负载开关和电源管理模块。由于其低导通电阻和高电流能力，该器件非常适合用于笔记本电脑、服务器、通信设备和便携式电子产品的电源设计。
　　在电机控制和电池管理系统中，该 MOSFET 可用于高效能开关电路，提供稳定的电流控制和低损耗性能。此外，它也常用于 LED 驱动电路、功率放大器和工业自动化设备中的功率开关应用。
　　由于其具备良好的热管理和高频响应特性，该器件也被广泛用于汽车电子系统，如车载充电器、电动助力转向系统（EPS）和车身控制模块。

SiSS130TN, FDS6680, IRF7413, IPD130N03C11N5ATMA1