时间：2025/5/22 14:47:26
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KTD256BEHD-TR是一款高性能的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件主要应用于需要高效率、快速开关特性的电路设计中。其封装形式为TO-252（DPAK），具有较低的导通电阻和较高的耐压能力，适合用于直流电机驱动、开关电源、负载开关以及LED驱动等应用领域。
这款MOSFET通过优化的芯片设计实现了低导通损耗和开关损耗，从而提升了系统的整体效率。此外，它还具备出色的热性能和电气稳定性，能够在广泛的温度范围内正常工作。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
持续漏极电流：10A
导通电阻：30mΩ
总栅极电荷：14nC
开关速度：快速
封装类型：TO-252(DPAK)
工作温度范围：-55℃至+150℃
1. 低导通电阻（Rds(on)）能够减少导通损耗，提升系统效率。
2. 快速开关特性使其非常适合高频开关应用。
3. 高雪崩击穿能力和鲁棒性，确保在异常条件下也能稳定工作。
4. 小巧的TO-252封装节省了PCB空间，并提供了良好的散热性能。
5. 支持大电流操作，满足各种功率转换需求。
6. 宽泛的工作温度范围，适用于恶劣环境下的工业和汽车电子应用。
1. 开关电源（Switching Power Supplies）
2. 直流-直流转换器（DC-DC Converters）
3. LED驱动器（LED Drivers）
4. 电机控制（Motor Control）
5. 负载开关（Load Switches）
6. 电池保护电路（Battery Protection Circuits）
7. 工业自动化设备中的功率管理模块
KSD256B, IRFZ44N, FDN340P
