UF804F 时间：2025/8/15 6:07:14 阅读：87

UF804F是一款高性能、低功耗的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及马达控制等领域。该器件采用先进的沟槽式技术制造，具有极低的导通电阻（RDS(on)），确保在高电流工作条件下仍能保持优异的效率和热性能。UF804F通常封装在TO-252（DPAK）或类似的表面贴装封装中，便于在各种电子设备中使用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：75A（在25°C）
　　导通电阻（RDS(on)）：约2.8mΩ（典型值，VGS=10V）
　　功率耗散（PD）：100W
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装类型：TO-252（DPAK）

特性

UF804F具有极低的导通电阻，这使得它在高电流应用中表现出色，能够显著降低功率损耗并提高整体效率。其高栅极绝缘能力（±20V VGS）提供了更强的抗干扰能力，避免因过高的栅极电压而导致损坏。该器件的封装设计优化了散热性能，使其在高功率密度环境中依然保持稳定。
　　此外，UF804F具备快速开关特性，减少了开关过程中的能量损耗，适用于高频开关电源应用。其低输入电容（CISS）和低反向恢复电荷（QRR）也进一步提升了动态性能，使得该MOSFET在高速开关应用中表现优异。
　　UF804F还具备良好的热稳定性和过载能力，能够在严苛的工作条件下保持可靠性。其内置的体二极管也具备较低的正向压降和快速恢复特性，有助于提高系统效率。

应用

UF804F广泛应用于各类电力电子系统，如同步整流、DC-DC降压/升压转换器、电池管理系统（BMS）、电动工具、工业自动化设备、电动车控制器以及各类负载开关电路。其优异的导通特性和快速开关性能使其成为高效率电源设计中的理想选择。此外，该器件也可用于音频功率放大器、马达驱动器以及LED照明驱动电路。