时间：2025/8/5 20:03:35
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IXTC200N085T是一款由Infineon Technologies生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件专为高电流和高效率的应用设计，具备低导通电阻、高耐压能力以及良好的热性能。它采用TO-247封装，适用于工业控制、电源转换、电机驱动以及可再生能源系统等高性能功率电子设备。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：85V
最大漏极电流(Id)：200A
导通电阻(Rds(on))：4.2mΩ（典型值）
栅极阈值电压(Vgs(th))：2V至4V
最大栅极电压：±20V
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：TO-247
IXTC200N085T具备低导通电阻（Rds(on)）特性，可有效降低导通损耗并提高系统效率。
该器件采用了Infineon先进的功率MOSFET制造技术，提供了卓越的热稳定性和高可靠性。
其高电流承载能力和低热阻确保了在高负载条件下仍能保持稳定运行。
此外，IXTC200N085T还具备优异的短路耐受能力和抗雪崩击穿性能，适用于需要高安全性和稳定性的应用场景。
由于其低门极电荷（Qg）和低输出电容（Coss），该MOSFET在高频开关应用中表现优异，减少了开关损耗，提高了整体系统性能。
此外，该器件符合RoHS标准，适用于环保型设计。
IXTC200N085T广泛应用于多种高功率和高效率要求的电子系统中，例如直流-直流转换器、同步整流器、电池管理系统、电机控制模块、工业自动化设备以及电动汽车充电系统等。
在电源管理领域，该MOSFET可用于构建高效的同步降压转换器和升压转换器，实现能量的高效传输和管理。
在电机驱动和逆变器系统中，IXTC200N085T可作为主开关元件，提供高效率和高可靠性的功率控制解决方案。
此外，它还适用于太阳能逆变器和储能系统，用于提高能源转换效率并确保系统长期稳定运行。
由于其优异的导热性能和高电流容量，IXTC200N085T也常用于高功率LED照明系统和电源供应器设计中。
IPW60R045C7, STP200N8F7AG, IRFP4468PBF
