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BAT54HRT1/JV 发布时间 时间:2025/8/13 1:37:21 查看 阅读:5

BAT54HRT1/JV 是一款由 ON Semiconductor 生产的双通用硅肖特基二极管阵列,采用 SOT-23 封装。该器件包含两个独立的肖特基二极管,具有低正向压降和快速开关特性,适用于高频开关和整流应用。该器件具有较高的可靠性和稳定性,广泛应用于消费电子、工业控制和通信设备中。

参数

类型:肖特基二极管阵列
  配置:双二极管(共阴极)
  最大正向电流(IF):300 mA
  最大反向电压(VR):30 V
  正向压降(VF):0.35 V(典型值)
  反向漏电流(IR):100 nA(最大值)
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装类型:SOT-23

特性

BAT54HRT1/JV 是一款高性能的双肖特基二极管芯片,具有显著的技术特性和应用优势。其核心特性之一是低正向压降,典型值为 0.35 V,在 300 mA 电流下仍能保持较低的压降,这使得该器件在高效率电源转换和整流应用中表现出色,减少了功率损耗。此外,该器件具有快速的反向恢复时间,确保在高频开关环境下仍能稳定工作,适用于 DC-DC 转换器、电源管理电路和信号整流等高频应用场景。
  另一个重要特性是其双二极管结构,采用共阴极配置,两个二极管共享一个公共阴极端子,这种结构简化了电路设计,提高了布线效率,适用于多个独立信号路径或电源路径的控制。此外,BAT54HRT1/JV 的最大反向电压为 30 V,最大正向电流为 300 mA,适用于中等功率应用,如 USB 充电管理、电池保护电路、低功耗整流电路等。
  该器件采用 SOT-23 小型表面贴装封装,适用于自动化贴片工艺,提高了生产效率并节省了 PCB 空间。此外,其工作温度范围宽达 -55°C 至 +150°C,使其能够在各种恶劣环境下稳定运行,如工业控制系统、汽车电子模块和户外通信设备等。该器件符合 RoHS 标准,满足环保要求,适用于绿色电子产品设计。

应用

BAT54HRT1/JV 主要应用于以下领域:电源管理系统中的整流和反向保护、DC-DC 转换器中的续流二极管、USB 电源管理与充电电路、电池供电设备中的低功耗整流、汽车电子系统中的电压隔离、高频信号整流和检测电路、工业控制系统的电源管理模块等。由于其紧凑的封装和优良的电气性能,该器件也常用于便携式设备、智能传感器和无线通信模块中。

替代型号

BAT54WJ, BAT54C, BAT54HWJ, BAS40-04, 1N5711

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