时间：2025/9/14 12:30:54
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PSMN1R1-40BS,118 是由Nexperia（安世半导体）生产的一款高性能N沟道增强型功率MOSFET，采用Trench技术，具备低导通电阻和优异的热性能。该器件适用于需要高效能和高可靠性的电源管理应用，如DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统等。PSMN1R1-40BS,118 采用LFPAK56（Power-SO8）封装，具有良好的散热性能和机械稳定性，适用于表面贴装工艺。
类型：N沟道
最大漏源电压（Vds）：40V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
最大连续漏极电流（Id）：110A（在25°C时）
导通电阻（Rds(on)）：1.1mΩ（最大值，Vgs=10V）
功率耗散（Ptot）：97W
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装形式：LFPAK56（Power-SO8）
安装类型：表面贴装
PSMN1R1-40BS,118 MOSFET具有极低的导通电阻（Rds(on)），仅为1.1mΩ，这使得在高电流应用中能够显著降低功率损耗，提高系统效率。
该器件采用先进的Trench技术，优化了导通和开关性能之间的平衡，使其在高频开关应用中表现出色。
其高电流承载能力（高达110A）和良好的热管理能力，使其适用于高功率密度设计。
此外，PSMN1R1-40BS,118的LFPAK56封装提供了优异的散热性能，增强了器件在高温环境下的稳定性。
该封装还具备优异的机械强度和抗振动能力，适合汽车电子等对可靠性要求较高的应用领域。
该MOSFET具有宽泛的工作温度范围（-55°C至175°C），适应各种极端环境下的工作需求。
PSMN1R1-40BS,118广泛应用于多个高性能电源管理系统中。例如，它适用于服务器电源、电信设备电源、DC-DC转换器、同步整流器和负载开关电路等高效率电源转换系统。
由于其高电流能力和低导通电阻，该器件也常用于电机控制、电池管理系统和电源管理单元（PMU）中。
在汽车电子领域，PSMN1R1-40BS,118可用于车载充电器、电动助力转向系统（EPS）和车身控制模块等应用，满足汽车工业对高可靠性和长寿命的要求。
此外，该MOSFET也适用于工业自动化设备、UPS（不间断电源）系统以及消费类电子产品中的高效能电源管理电路。
SiSS110N10NM-T1-GE3, Infineon IPP110N10S4-03, STMicroelectronics STP110N10F7-4, ON Semiconductor NVTFS5C471NLWT, Diodes ZXGD3008E6TA
