类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：900V
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　连续漏极电流（Id）：7A（在Tc=25℃）
　　脉冲漏极电流（Idm）：28A
　　功耗（Pd）：50W
　　工作温度范围：-55℃～150℃
　　存储温度范围：-55℃～150℃
　　封装形式：TO-220
　　导通电阻（Rds(on)）：1.0Ω（最大值，Vgs=10V）

FMW07N90G采用了先进的沟槽式MOSFET制造工艺，具有优异的导通特性和开关性能。其低导通电阻（Rds(on)）确保了在高电流工作条件下仍能保持较低的功率损耗，从而提高整体系统的效率。此外，该器件具备高耐压能力，漏源电压（Vds）高达900V，适合用于高电压应用场合。
　　该MOSFET的栅极氧化层设计增强了抗静电能力和长期稳定性，能够在高温和高压环境下稳定运行。其封装形式为TO-220，具有良好的散热性能，适用于需要高功率密度的设计。TO-220封装还具备良好的机械强度和电气隔离能力，适用于工业级应用。
　　此外，FMW07N90G具备快速开关能力，开关损耗较低，有助于提升电源转换效率。其在高频率开关应用中表现出色，广泛应用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、LED驱动器、电机驱动器和负载开关等电路中。由于其高可靠性和优异的热稳定性，该器件也被广泛用于工业自动化控制系统和消费类电子产品。

FMW07N90G常用于多种高电压、高功率应用场景，包括但不限于：
　　? 开关电源（SMPS）：作为主开关器件，用于提高电源转换效率并减小电源体积。
　　? 电机控制：在直流电机、无刷电机控制电路中作为功率开关，实现高效能驱动。
　　? DC-DC转换器：用于升压或降压电路，提供稳定的输出电压。
　　? LED驱动器：用于恒流控制电路，保证LED亮度稳定。
　　? 负载开关：在智能功率管理系统中用于控制负载的通断。
　　? 工业自动化：在PLC、变频器、伺服驱动器等设备中用于高可靠性开关控制。

FMW07N90C, FMW07N90S, FQA7N90C, FQP7N90C