SH31B222K500CT 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管,广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器等领域。该器件采用 TO-220 封装形式,具备低导通电阻和高电流承载能力的特点,适用于各种需要高效功率转换的场景。
SH31B222K500CT 属于 N 沟道增强型场效应晶体管,其设计优化了开关特性和导通性能,使其能够在高频工作条件下保持较低的功耗和较高的效率。
最大漏源电压:500V
连续漏极电流:8A
脉冲漏极电流:40A
栅极阈值电压:2V~4V
导通电阻(典型值):0.6Ω
总功耗:150W
结温范围:-55℃~150℃
SH31B222K500CT 具有出色的电气性能和可靠性。其主要特点包括:
1. 高击穿电压:500V 的漏源电压使其能够适应高压环境下的应用。
2. 低导通电阻:在高电流负载下减少了功率损耗,提高了整体效率。
3. 快速开关速度:优化的栅极电荷设计使得器件能够在高频条件下稳定运行。
4. 稳定性强:具有良好的热特性和抗干扰能力,能够在恶劣环境下长时间运行。
5. 小封装大功率:TO-220 封装提供了良好的散热性能,同时保持了紧凑的设计。
此外,SH31B222K500CT 还具备短路保护功能,进一步增强了其在实际应用中的安全性。
SH31B222K500CT 主要应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS):用于提高电源转换效率并降低能量损耗。
2. 电机驱动:控制直流电机或步进电机的速度和方向。
3. DC-DC 转换器:实现电压调节和稳压功能。
4. 逆变器:将直流电转换为交流电,用于太阳能发电系统或其他电力设备。
5. 电池充电器:通过精确的电流控制实现快速充电。
6. 工业自动化设备:如 PLC 控制器、伺服驱动器等需要高效功率管理的场合。
IRFZ44N
FQP50N06L
STP16NF06