时间：2025/7/9 16:24:33
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GRT0335C1H1R8CA02D是一款高性能的功率MOSFET芯片，主要用于开关电源、电机驱动和直流-直流转换等应用。该器件采用先进的制造工艺，具备低导通电阻和高开关速度的特点，能够有效降低功耗并提高系统效率。
这款芯片具有出色的热性能和电气特性，适用于要求高效能和高可靠性的应用场景。其封装形式紧凑，适合在空间受限的设计中使用。
型号：GRT0335C1H1R8CA02D
类型：N-Channel MOSFET
工作电压(Vdss)：30V
连续漏极电流(Id)：40A
导通电阻(Rds(on))：1.8mΩ
栅极电荷(Qg)：36nC
总功耗(Ptot)：160W
结温范围(Tj)：-55℃ to 175℃
封装形式：TO-263(D2PAK)
GRT0335C1H1R8CA02D具有以下关键特性：
1. 极低的导通电阻(1.8mΩ)，有助于减少传导损耗，提高效率。
2. 高速开关能力，支持高频工作环境。
3. 出色的热稳定性，能够在高温环境下长期运行。
4. 强大的过流能力和短路保护功能，提高了系统的可靠性。
5. 小型化封装设计，便于安装在空间有限的应用场景。
6. 符合RoHS标准，环保无铅。
该芯片广泛应用于以下领域：
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流器。
2. 电机驱动电路中的功率级控制。
3. 直流-直流转换器中的主开关管。
4. 工业自动化设备中的负载切换。
5. 电动汽车和混合动力汽车的逆变器模块。
6. 电池管理系统(BMS)中的保护开关。
GRT0335C1H1R8CA02A, GRT0335C1H1R8CA02B
