600L0R6BT200T是一款高压MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为高电压、高效率应用设计。它采用了先进的沟槽式结构和优化的芯片设计,以实现更低的导通电阻和更高的开关性能。
该器件适合用于工业电源、逆变器、电机驱动以及各种需要高性能功率转换的应用场景。
型号:600L0R6BT200T
类型:MOSFET
极性:N-Channel
漏源极击穿电压:600V
连续漏极电流:20A
导通电阻:6mΩ
栅极电荷:35nC
输入电容:1800pF
总功耗:200W
工作温度范围:-55°C to 175°C
600L0R6BT200T具有以下主要特性:
1. 高耐压能力:额定电压达到600V,适用于多种高压应用场景。
2. 低导通电阻:在典型条件下,导通电阻仅为6mΩ,降低了传导损耗,提高了系统效率。
3. 快速开关性能:优化的栅极电荷和开关时间使其适合高频开关应用。
4. 热稳定性强:能够在宽广的工作温度范围内保持稳定性能。
5. 小型化封装:采用紧凑的封装设计,节省了PCB空间。
6. 高可靠性:通过严格的测试和筛选,确保长期运行的可靠性。
这款MOSFET适用于多种电力电子应用,包括但不限于:
1. 开关电源(SMPS)
2. DC-DC转换器
3. 电机驱动
4. 太阳能逆变器
5. 工业控制设备
6. UPS不间断电源
7. 电动车充电设备
其高压和高效特性使其成为这些领域中理想的功率开关元件。
600L0R8BT200T, 650L0R6BT200T