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600L0R6BT200T 发布时间 时间:2025/7/3 12:04:10 查看 阅读:11

600L0R6BT200T是一款高压MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为高电压、高效率应用设计。它采用了先进的沟槽式结构和优化的芯片设计,以实现更低的导通电阻和更高的开关性能。
  该器件适合用于工业电源、逆变器、电机驱动以及各种需要高性能功率转换的应用场景。

参数

型号:600L0R6BT200T
  类型:MOSFET
  极性:N-Channel
  漏源极击穿电压:600V
  连续漏极电流:20A
  导通电阻:6mΩ
  栅极电荷:35nC
  输入电容:1800pF
  总功耗:200W
  工作温度范围:-55°C to 175°C

特性

600L0R6BT200T具有以下主要特性:
  1. 高耐压能力:额定电压达到600V,适用于多种高压应用场景。
  2. 低导通电阻:在典型条件下,导通电阻仅为6mΩ,降低了传导损耗,提高了系统效率。
  3. 快速开关性能:优化的栅极电荷和开关时间使其适合高频开关应用。
  4. 热稳定性强:能够在宽广的工作温度范围内保持稳定性能。
  5. 小型化封装:采用紧凑的封装设计,节省了PCB空间。
  6. 高可靠性:通过严格的测试和筛选,确保长期运行的可靠性。

应用

这款MOSFET适用于多种电力电子应用,包括但不限于:
  1. 开关电源(SMPS)
  2. DC-DC转换器
  3. 电机驱动
  4. 太阳能逆变器
  5. 工业控制设备
  6. UPS不间断电源
  7. 电动车充电设备
  其高压和高效特性使其成为这些领域中理想的功率开关元件。

替代型号

600L0R8BT200T, 650L0R6BT200T

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600L0R6BT200T参数

  • 现有数量26,304现货
  • 价格1 : ¥8.51000剪切带(CT)4,000 : ¥2.73803卷带(TR)
  • 系列ATC 600L
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 电容0.6 pF
  • 容差±0.1pF
  • 电压 - 额定200V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性高 Q 值,低损耗,超低 ESR
  • 等级-
  • 应用射频,微波,高频,旁通,去耦
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0402(1005 公制)
  • 大小 / 尺寸0.040" 长 x 0.020" 宽(1.02mm x 0.51mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.024"(0.60mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-