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IRFR9120NTRPBF 发布时间 时间:2024/6/14 14:42:53 查看 阅读:327

IRFR9120NTRPBF 是一款 N沟道MOSFET功率晶体管,由国际整流器(International Rectifier,IR)公司生产。它具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于高效率功率开关设计。该器件的封装为 DPAK,其尺寸为 6.6mm x 9.45mm x 2.3mm。IRFR9120NTRPBF 的最大漏极电压为 100V,最大漏极电流为 4.6A,最大导通电阻为 0.15Ω。
  IRFR9120NTRPBF 是一种增强型 MOSFET,可以通过控制栅极电压来控制漏极电流。当栅极电压高于阈值电压时,MOSFET导通,漏极电流流过器件;当栅极电压低于阈值电压时,MOSFET截止,漏极电流几乎为零。因此,通过改变栅极电压可以实现对器件的开关控制。

基本结构

IRFR9120NTRPBF 的基本结构包括漏极、源极、栅极和衬底。漏极和源极是两个金属片,用于连接外部电路。栅极是一个金属层,通过外部电路施加电压来控制器件的导通和截止。衬底是一个半导体材料,用于提供电流流动的通道。

参数

额定电压:60V
  额定电流:3.3A
  导通电阻:0.28Ω(最大值)
  开关时间:30ns(最大值)
  输入电容:1200pF(典型值)
  输出电容:150pF(典型值)
  工作温度范围:-55℃至+175℃

特点

1、低导通电阻:IRFR9120NTRPBF的低导通电阻可以减小功率损耗,并提高效率。
  2、高开关速度:快速的开关速度使IRFR9120NTRPBF适用于高频应用,可以实现快速的开关操作。
  3、优异的温度稳定性:IRFR9120NTRPBF在各种温度条件下都能保持稳定的性能,适用于各种工作环境。
  4、TO-252封装:IRFR9120NTRPBF采用SMD封装形式,方便安装和布局。

工作原理

IRFR9120NTRPBF是一款N沟道MOSFET功率晶体管,其工作原理基于场效应晶体管(FET)原理。当输入电压施加在栅极与源极之间时,形成一个电场,改变了沟道的电导性。当栅极电压高于阈值电压时,沟道导电,从而形成导通状态;当栅极电压低于阈值电压时,沟道断开,形成截止状态。

应用

IRFR9120NTRPBF适用于各种工业和汽车电子应用,常用于以下领域:
  1、电源管理:IRFR9120NTRPBF可用于开关电源、DC-DC转换器和逆变器等电源管理应用中。
  2、电机驱动:IRFR9120NTRPBF适用于电机驱动电路,如风扇控制、电动汽车驱动等。
  3、照明应用:IRFR9120NTRPBF可用于LED驱动器、照明控制等照明应用中。
  4、汽车电子:IRFR9120NTRPBF广泛应用于汽车电子系统中,如照明控制、电动窗扇控制等。

设计流程

1、确定应用需求:明确设计的功率、电压、电流等参数,以及所需的开关速度和效率等要求。
  2、选择合适的拓扑结构:根据应用需求选择适合的拓扑结构,如升压、降压、反激等。
  3、电路设计:根据拓扑结构和应用需求设计电路,包括输入滤波、开关驱动电路、保护电路等。
  4、选型和模拟仿真:根据设计需求选用合适的器件,如 IRFR9120NTRPBF,进行电路模拟和仿真,验证设计方案的可行性和性能。
  5、PCB 设计:根据电路设计完成 PCB 布局和布线,注意保持良好的电磁兼容性和功率传输效率。
  6、原型制作:根据 PCB 设计制作电路原型,进行实际测试和验证。
  7、调试和优化:对原型电路进行调试和优化,确保性能符合设计要求。
  8、批量生产:根据调试和优化结果进行批量生产,同时进行严格的品质控制和测试。

安装要点

1、确保正确的电气连接:将 IRFR9120NTRPBF 连接到电路中时,确保正确连接器件的漏极、源极和栅极,以及相应的电源和负载。
  2、适当使用散热器:IRFR9120NTRPBF 在工作时会产生热量,特别是在高功率应用中。因此,建议在器件上使用散热器以提高散热效果,确保器件工作在安全温度范围内。
  3、注意静电防护:在安装和处理 IRFR9120NTRPBF 时,应注意防止静电放电对器件造成损坏。使用静电防护措施,如穿戴合适的静电手套、使用静电防护垫等。
  4、适当的焊接技术:在焊接 IRFR9120NTRPBF 时,使用适当的焊接技术和工具,确保焊接质量良好,避免焊接温度过高或过低,以免对器件造成损害。
  5、正确的电气和机械固定:在安装过程中,确保正确固定 IRFR9120NTRPBF 的电气和机械连接,避免在振动或运输过程中松动或断开。

常见故障及预防措施

IRFR9120NTRPBF是一种功率MOSFET,常见故障及预防措施如下:
  1、过热故障:在高功率工作条件下,IRFR9120NTRPBF可能会因为过度发热而损坏。预防措施包括:
  ●确保散热器的安装和设计合理,能够有效散热。
  ●控制工作温度,避免超过IRFR9120NTRPBF的额定温度范围。
  ●使用合适的散热材料,如导热硅脂等。
  2、过电流故障:IRFR9120NTRPBF可能会因为过电流而损坏。预防措施包括:
  ●使用适当的电流限制器或保护电路,以防止过电流流过IRFR9120NTRPBF。
  ●仔细计算和设计电路,确保电流不会超过IRFR9120NTRPBF的额定电流。
  3、过压故障:IRFR9120NTRPBF可能会因为过压而损坏。预防措施包括:
  ●使用适当的过压保护电路,以防止过压施加在IRFR9120NTRPBF上。
  ●使用合适的电源和电压稳定器,确保电压在IRFR9120NTRPBF的额定范围内。
  4、静电故障:IRFR9120NTRPBF可能会因为静电放电而损坏。预防措施包括:
  ●在处理和安装IRFR9120NTRPBF时,使用防静电手套和防静电垫。
  ●在存储和运输过程中,使用防静电包装材料。
  5、错误使用故障:IRFR9120NTRPBF可能会因为错误的使用而损坏。预防措施包括:
  ●仔细阅读和理解IRFR9120NTRPBF的规格书和应用手册,确保正确使用。
  ●遵循IRFR9120NTRPBF的最大额定参数,不要超出其规定的工作范围。
  ●避免过度应力,如过度电流、电压、温度等。
  总之,预防IRFR9120NTRPBF常见故障的关键是正确使用和合理设计。保持适当的工作条件、合理的散热、过流、过压保护以及静电防护都是预防故障的重要措施。

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IRFR9120NTRPBF参数

  • 标准包装2,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C6.6A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C480 毫欧 @ 3.9A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs27nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds350pF @ 25V
  • 功率 - 最大40W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装D-Pak
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称IRFR9120NPBFTR