时间：2025/6/17 14:23:28
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SBD20120TCTB是一种肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode），通常用于高频、低电压降的应用场合。这类二极管因其较低的正向压降和快速开关特性，广泛应用于各种电子电路中，如电源整流、续流保护等场景。SBD20120TCTB的具体型号参数表明它具有20A的额定电流和120V的最大反向电压。
最大反向电压：120V
正向电流：20A
正向电压（典型值）：0.55V
反向恢复时间：小于40ns
工作温度范围：-55℃至+175℃
封装形式：TO-220
热阻：2°C/W
SBD20120TCTB属于肖特基二极管系列，具有低正向压降的特点，能够有效减少功率损耗并提升效率。同时，它的反向恢复时间非常短，这使其非常适合高频应用。此外，该二极管能够在较宽的温度范围内稳定工作，因此在工业和汽车领域也有广泛应用。
相比普通PN结二极管，肖特基二极管的正向压降低，这意味着在相同条件下能产生更少的热量，从而提高系统效率。但需要注意的是，肖特基二极管的反向漏电流相对较大，因此在高电压环境下可能需要特别考虑。
SBD20120TCTB主要应用于直流-直流转换器、开关电源中的整流、太阳能电池板旁路保护、电机驱动电路中的续流保护以及各类高频开关电路。由于其较高的电流承载能力和快速的开关速度，也常被用作大功率电源模块的关键元件之一。
SBR20U120PT
SBR20U120P3
SBR20U120PTS
MSS20120CT
