时间：2025/5/24 18:09:49
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BSL202SNH6327是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。其设计适用于需要高效能和高可靠性的电源管理应用。这种MOSFET通常被用作功率开关或负载开关，在各种电子系统中提供高效的电流控制。该型号支持较高的连续漏极电流，并且能够在较宽的电压范围内稳定工作。
由于其优异的电气特性和紧凑的封装形式，BSL202SNH6327非常适合消费类电子产品、工业设备以及通信设备中的多种应用场景。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压Vds：60V
最大栅源电压Vgs：±20V
连续漏极电流Id：105A
脉冲漏极电流Ibm：380A
导通电阻Rds(on)：1.4mΩ（在Vgs=10V时）
栅极电荷Qg：85nC
反向恢复时间Trr：29ns
工作温度范围Tj：-55℃至+175℃
BSL202SNH6327具备非常低的导通电阻，这使其在高电流应用中能够显著减少功率损耗并提高效率。此外，其快速的开关速度和低栅极电荷使得它在高频开关应用中表现出色。
该器件采用了高级封装技术，确保了良好的散热性能和机械稳定性。其高电流承载能力和宽泛的工作温度范围进一步增强了其在恶劣环境下的可靠性。
BSL202SNH6327还具有出色的雪崩耐量能力，能够在异常条件下提供额外的保护功能。这些特点共同决定了这款MOSFET在现代电子设备中的广泛应用价值。
BSL202SNH6327主要应用于直流-直流转换器、电机驱动电路、负载开关、电池保护电路以及逆变器等场景。它的高电流处理能力和低导通电阻特别适合于笔记本电脑适配器、服务器电源、电动工具以及其他便携式电子设备的电源管理系统。
此外，该器件也可用于汽车电子领域，例如车载充电器、LED照明驱动以及启动马达控制等场合。在通信基础设施中，如基站电源和网络交换机电源模块，同样可以发挥重要作用。
BSL202SNH6328, BSL203SNH6327
