类型：P 沟道 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：-20V
　　栅源电压（VGS）：±12V
　　连续漏极电流（ID）：-5.7A（VGS = -4.5V）
　　导通电阻（RDS(on)）：最大 9mΩ（VGS = -4.5V）
　　功率耗散：1.4W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装：TSOT26

AP2P9R0LYT 的核心特性之一是其低导通电阻（RDS(on)），这有助于减少功率损耗并提高系统效率。该器件在 VGS = -4.5V 时的导通电阻仅为 9mΩ，非常适合用于电池供电设备的电源管理。此外，AP2P9R0LYT 具备较高的电流承载能力，连续漏极电流可达 -5.7A，适用于中等功率负载开关应用。
　　该 MOSFET 采用 TSOT26 小型封装，节省空间，适用于高密度 PCB 布局。其栅极驱动电压范围宽广，支持 1.8V 至 4.5V 之间的逻辑电平驱动，因此可以与多种微控制器和电源管理 IC 配合使用。AP2P9R0LYT 还具有良好的热稳定性和抗静电能力，确保在恶劣环境下稳定运行。
　　另外，AP2P9R0LYT 具备快速开关特性，可减少开关损耗，提高系统响应速度。其低漏电流和高阻断电压能力也使其在待机模式下功耗极低，有助于延长电池寿命。

AP2P9R0LYT 主要应用于各类便携式电子设备中的电源管理与负载开关控制。典型应用包括智能手机、平板电脑、笔记本电脑、无线耳机、智能手表等移动设备的电源管理系统。在这些设备中，AP2P9R0LYT 可用于控制不同功能模块的供电，实现高效能与低功耗的平衡。
　　此外，该器件也广泛应用于 DC-DC 转换器、负载开关、热插拔电路、电池充电电路以及各类低电压电源管理系统。由于其具备高可靠性和小型封装，AP2P9R0LYT 在汽车电子、工业控制和消费类电子产品中也具有广泛应用前景。

Si2302DS, AO4406, IRML2802, BSS84