IRKT26/16 时间：2025/12/26 19:28:52 阅读：16

IRKT26/16是一款由英飞凌（Infineon Technologies）推出的采用TO-220封装的N沟道功率MOSFET晶体管，广泛应用于开关电源、电机控制和功率转换等高效率、高可靠性要求的电子系统中。该器件结合了先进的沟槽栅极技术和场截止（Field-Stop）结构，实现了低导通电阻与快速开关特性的平衡，适用于中等功率级别的DC-DC转换器、逆变器及工业控制设备。IRKT26/16的设计目标是提供卓越的热稳定性和电气性能，在高温环境下仍能保持良好的工作能力。其TO-220封装具备良好的散热特性，适合在自然对流或加装散热片条件下运行，同时具有较高的绝缘电压能力，满足多种安全标准要求。该MOSFET通常用于替代传统较慢或损耗更高的双极型晶体管，在提高系统整体效率方面表现突出。此外，由于其具备较强的雪崩能量耐受能力，能够在瞬态过压或感性负载切换过程中保持稳定，增强了系统的鲁棒性。
　　器件的栅极阈值电压适中，便于与常见的驱动电路兼容，包括光耦隔离驱动或专用MOSFET驱动IC。IRKT26/16还具备较低的输入电容和输出电容，有助于减少驱动损耗并提升高频工作下的效率表现。作为一款工业级产品，它经过严格测试，确保在恶劣环境条件下长期可靠运行，适用于工业自动化、可再生能源系统以及不间断电源（UPS）等多种应用场景。

参数

型号：IRKT26/16
　　类型：N沟道MOSFET
　　封装形式：TO-220
　　漏源电压VDS：650 V
　　连续漏极电流ID：16 A
　　脉冲漏极电流IDM：64 A
　　导通电阻RDS(on)：170 mΩ（最大值，@ ID = 8A）
　　栅极阈值电压VGS(th)：3.0 V ~ 4.5 V
　　输入电容Ciss：1100 pF @ VDS = 50 V
　　输出电容Coss：190 pF @ VDS = 50 V
　　反向恢复时间trr：30 ns
　　最大功耗PD：150 W
　　工作结温范围Tj：-55°C ~ +150°C
　　栅源电压VGS（最大）：±20 V

特性

IRKT26/16的特性之一是其优化的沟槽栅极设计与场截止技术相结合，显著降低了导通电阻RDS(on)，从而减少了导通状态下的功率损耗，提升了整体能效。这种结构不仅提高了电流密度，还改善了器件的热分布均匀性，使得在大电流负载下依然能够维持较低的工作温度。该MOSFET具备出色的开关速度，得益于其低栅极电荷（Qg）和低米勒电荷（Qsw），能够在高频开关应用中实现快速的开启与关断过程，有效降低开关损耗。这对于现代高效电源拓扑如LLC谐振转换器、有源钳位反激式变换器尤为重要。
　　另一个关键特性是其强大的抗雪崩能力。IRKT26/16在设计时充分考虑了在感性负载切断或线路突变情况下可能产生的电压尖峰问题，通过增强漂移区的掺杂控制和优化终端结构，使其具备单脉冲和重复脉冲雪崩额定能量（EAS），可在非正常工况下吸收一定的能量而不损坏。这一特性极大地增强了系统在异常情况下的生存能力，减少了因意外过压导致的器件失效风险。
　　此外，该器件具有良好的热稳定性与长期可靠性。其TO-220封装采用铜带连接技术，提高了内部导热效率，并降低了热阻。芯片与封装之间的焊接工艺也经过优化，确保在反复热循环中不会出现疲劳开裂等问题。在高温工作环境下，IRKT26/16仍能保持稳定的电气参数，避免性能下降或早期老化现象。同时，该MOSFET支持并联使用，多个器件可共同承担更大电流，适用于需要扩展功率容量的设计场景。
　　最后，IRKT26/16具备良好的驱动兼容性。其栅极阈值电压位于典型逻辑电平驱动范围内，可以方便地与PWM控制器配合使用，尤其适合搭配带有图腾柱输出的驱动器。此外，较低的输入和输出电容意味着驱动电路所需提供的电流较小，进一步降低了驱动级的功耗和复杂度，有利于简化外围电路设计。

应用

IRKT26/16广泛应用于各类中高功率电力电子系统中。其主要用途包括开关模式电源（SMPS），尤其是在600W至2kW范围内的离线式电源设计中，常被用作主开关管或同步整流器件，以实现高效率的能量转换。在光伏逆变器和储能系统中，该MOSFET可用于直流侧的斩波电路或辅助电源模块，帮助调节太阳能板输出电压并提升系统响应速度。此外，在不间断电源（UPS）设备中，IRKT26/16常用于逆变级的H桥或半桥拓扑结构中，负责将电池直流电转换为交流输出，凭借其快速开关能力和高耐压特性，保障了输出波形的纯净与系统的稳定性。
　　在工业电机驱动领域，该器件适用于小型伺服驱动器、步进电机控制器以及风扇和泵类负载的功率控制电路。由于其具备较强的抗干扰能力和过载承受力，特别适合频繁启停或负载波动较大的场合。在电动汽车充电基础设施中，IRKT26/16也可用于车载充电机（OBC）的PFC（功率因数校正）级或DC-DC变换模块，协助实现电网侧的高功率因数和低谐波失真。
　　此外，该MOSFET还可用于感应加热设备、电磁炉、超声波发生器等高频功率应用中，利用其快速开关特性生成高频交变电流，激发线圈产生涡流加热效应。在照明领域，特别是高强度气体放电灯（HID）或LED恒流驱动电源中，IRKT26/16同样表现出色，能够精确控制电流波形，延长光源寿命并提高光效。总体而言，该器件凭借其高耐压、低损耗、高可靠性的综合优势，成为多种工业与消费类电源产品的理想选择。