DMG4511SK4 是一款由 Diodes 公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于多种高效能功率转换应用。其封装形式为 SO-8,能够提供良好的散热性能,并且支持表面贴装技术(SMT),适合大规模自动化生产。
该 MOSFET 的典型应用场景包括 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动以及电池管理等,特别是在需要低功耗和高效率的场合。
最大漏源电压:30V
最大栅源电压:±12V
连续漏极电流:6.9A
导通电阻(Rds(on)):45mΩ(在 Vgs=10V 时)
栅极电荷:1.5nC
开关速度:快速
工作温度范围:-55℃至+150℃
DMG4511SK4 具有以下显著特点:
1. 极低的导通电阻,有助于减少功率损耗并提高整体系统效率。
2. 快速开关能力使其非常适合高频应用环境,同时降低开关损耗。
3. 高度稳定的电气性能确保其能够在各种严苛条件下可靠运行。
4. 小巧的 SO-8 封装设计不仅节省了 PCB 空间,还增强了散热效果。
5. 支持表面贴装技术,便于实现自动化生产和优化制造流程。
DMG4511SK4 广泛应用于多个领域:
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流和功率转换。
2. 各类 DC-DC 转换器设计,例如降压或升压拓扑结构。
3. 负载开关,用于保护电路免受过流和短路的影响。
4. 电机驱动电路,控制小型直流电机的启动、停止和调速。
5. 电池管理系统(BMS),用作充放电路径上的关键组件以确保安全性和效率。
DMG4511SK3
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IRLZ44N