时间：2025/4/30 10:15:48
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SI1405BDL-T1-E3 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用了小型化的封装，适用于高频和高效率的开关应用。它具有较低的导通电阻和较高的开关速度，非常适合于消费电子、计算机和通信设备中的功率管理电路。
此型号中的后缀 '-T1-E3' 表示其经过特定筛选以满足工业级可靠性标准，并且采用卷带式包装。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：4.8A
导通电阻（典型值）：75mΩ
栅极电荷：9nC
总电容：230pF
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
SI1405BDL-T1-E3 提供了多种优越的性能特点。首先，它的低导通电阻保证了在高电流条件下产生的功率损耗较小，从而提高了整体效率。其次，快速的开关能力使得它可以胜任高频应用场合，减少了电磁干扰问题。此外，由于其能够承受高达 175°C 的结温，因此在恶劣环境下也能保持稳定工作。
Vishay 对该产品的制造工艺进行了优化，确保了良好的一致性和长期可靠性。这些优势使其成为需要紧凑设计和高效能解决方案的理想选择。
这款 MOSFET 广泛应用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动、电源适配器以及其他要求高性能功率转换的领域中。例如，在便携式设备充电器里，它可以用作同步整流元件来提升能量传递效率；而在 LED 照明系统中，则可以充当调光控制的关键组件。
另外，SI1405BDL-T1-E3 还常见于笔记本电脑主板上的电压调节模块以及汽车电子系统的辅助功能单元内，如信息娱乐装置或空调控制系统等。
SI1404DD, SI1406DD
