时间：2025/9/14 14:12:21
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PSMN016-100PS,127 是一款由 NXP（恩智浦）半导体公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件设计用于高效率、高频开关应用，适用于各种功率转换系统，例如 DC-DC 转换器、电源管理模块和负载开关。该 MOSFET 采用高性能沟槽式工艺制造，具有低导通电阻（Rds(on)）和优良的热性能，可在较高电流和电压条件下稳定运行。PSMN016-100PS,127 采用标准的 TO-223 封装形式，便于在 PCB 上安装和散热管理。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（Vds）：100 V
漏极电流（Id）@ 25°C：16 A
导通电阻（Rds(on)）：16 mΩ（最大值）
栅极阈值电压（Vgs(th)）：2 V ~ 4 V
最大功耗（Ptot）：50 W
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装形式：TO-223
漏极-源极击穿电压（BVDSS）：100 V
PSMN016-100PS,127 的核心特性之一是其极低的导通电阻（Rds(on)），这显著降低了在导通状态下的功率损耗，提高了系统效率。其沟槽式结构优化了载流子的分布，从而提升了电流承载能力。此外，该器件具有快速开关能力，适用于高频应用，有助于减小外围元件的尺寸并提高功率密度。TO-223 封装提供了良好的散热性能，使得器件在高负载下也能维持稳定的工作温度。该 MOSFET 还具有较高的雪崩能量耐受能力，增强了在突发过压或瞬态条件下的可靠性。PSMN016-100PS,127 的栅极驱动电压范围较宽（通常在 4.5 V 到 10 V 之间），支持与多种类型的驱动电路兼容。
该器件的另一个显著优势是其出色的热稳定性和可靠性。通过优化芯片设计和封装结构，PSMN016-100PS,127 能够在较高温度下维持性能，从而适用于严苛的工业和汽车电子环境。此外，其低输入电容（Ciss）和输出电容（Coss）有助于减少开关损耗，提高整体能效。综合来看，PSMN016-100PS,127 是一款性能优越、可靠性高的功率 MOSFET，适用于广泛的电源管理和功率转换应用。
PSMN016-100PS,127 广泛应用于多个领域，包括但不限于 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电机控制、电源管理系统、电池充电器、工业自动化设备以及汽车电子系统。其高效率和高可靠性使其成为高性能电源设计的理想选择，尤其适用于需要高电流和高频切换的场合。此外，该 MOSFET 也可用于 UPS（不间断电源）、服务器电源和电信设备中的功率转换模块，满足现代电子设备对小型化、高效能和长寿命的需求。
SiHH16N100, STP16NF10, FDP16N10, IPP160N10N3G
