时间：2025/6/22 0:31:30
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PESD5V0C1USF是一款超低电容、双向瞬态电压抑制（TVS）二极管阵列，设计用于保护高速数据接口免受静电放电（ESD）、电气快速瞬变（EFT）和其他瞬态电压的损害。该器件采用微型DFN封装，非常适合空间受限的应用场景。
该型号具有出色的响应速度和较低的箝位电压，能够有效保护敏感的电子设备。其广泛应用于消费电子、通信设备和工业控制等领域。
工作电压：5V
峰值脉冲电流：±18A
最大箝位电压：7.6V
电容：0.4pF
响应时间：典型值1ps
结温范围：-55℃至+150℃
封装形式：DFN1230-2
PESD5V0C1USF具备以下显著特点：
1. 超低电容，仅为0.4pF，确保信号完整性的同时减少对高速数据传输的影响。
2. 双向保护设计，提供对称的正负向过压保护。
3. 极快的响应时间，能够迅速抑制瞬态电压威胁。
4. 高度可靠的ESD防护能力，符合IEC 61000-4-2标准，达到±30kV接触放电和±30kV空气放电的保护水平。
5. 小型化封装设计，节省PCB布局空间，适用于高密度设计环境。
6. 工作温度范围广，适应各种恶劣的工作条件。
PESD5V0C1USF适用于多种需要高速数据线保护的应用场合，包括但不限于：
1. USB 3.0/3.1接口保护。
2. HDMI、DisplayPort等高速视频接口防护。
3. SATA接口的ESD防护。
4. 移动设备中的射频线路保护。
5. 工业自动化控制系统中的通信端口防护。
6. 汽车电子系统中的高速数据总线防护。
PESD5V0C1UAL,PESD5V0UA1B
